Карбид кремния это:

Карбид кремния
Карбид кремния
Карбид кремния: химическая формула
Карбид кремния: вид молекулы
Общие
Химическая формула SiC
Физические свойства
Состояние (ст. усл.) от прозрачного до черного, в зависимости от чистоты
Молярная масса 40.0962 г/моль
Плотность 3.21[1] г/см³
Термические свойства
Температура плавления (с разл.) 2730 °C
Химические свойства
Растворимость в воде нерастворим г/100 мл
Растворимость в кислотах нерастворим г/100 мл
Оптические свойства
Показатель преломления 2.55[2]
Классификация
Рег. номер CAS 409-21-2
RTECS VW0450000
Безопасность
Токсичность
NFPA 704.svg

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, искусственные драгоценные камни.

Содержание

Открытие и начало производства

Повторение эксперимента Г. Д. Раунда

О ранних, несистематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали Деспретз (1849), Марсден (1880) и Колсон (1882 год)[3]. Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893[4]. Ачесон также разработал электрическую печь в которой карбид кремния создается до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива [5].

Исторически первым способом использования карбидокремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале XX века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках [6]. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за желтым, зеленым и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были позже повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году [7].

Формы нахождения в природе

Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в качестве небольшого включения в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году[8]. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество)[9].

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, однако, он широко распространен в космосе. Это вещество распространено в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звезд, также его много в первозданных, не подверженных изменениям, метеоритах, почти исключительно, в форме бета-полиморфа. Анализ зёрен карбида кремния, найденных в Мерчисонском углеродистом хондритовом метеорите, выявил аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовалось около богатых углеродом звёзд принадлежащих к асимптотической ветви гигантов [10]. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звезд по их ИК-спектрам [11].

Производство

Из-за редкости нахождения в природе муассанита, карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:

~\mathsf{SiO_2 + 3C \xrightarrow{1600-2500^oC} SiC + 2CO}
Синтетические кристаллы SiC ~ 3 мм в диаметре

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе. Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-желтого и зеленого цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или черный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала [12].

Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря процессу Лели

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели[13], в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2×2 см². Этот процесс дает высококачественные монокристаллы, в основном состоящие из 6H-SiC фазы (это связано с высокой температурой роста). Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях дает еще большие монокристаллы до 10 см в диаметре[14]. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров [12][15]. Чистый карбид кремния также может быть получен путем термического разложения полимера полиметилсилана (SiCH3)n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику [16][17][18][19].

Структура и свойства

Существует примерно 250 кристаллических форм карбида кремния[20]. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определенной последовательности [21].

Альфа карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C [22]. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако, в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается.

Свойства основных политипов карбида кремния[23][24]
Политип 3C (β) 4H 6H (α)
Кристаллическая структура Цинковая обманка (кубич.) Гексагональная Гексагональная
Пространственная группа ~\mathsf{T^2_d-F43m} ~\mathsf{C^4_{6v}-P6_3mc} ~\mathsf{C^4_{6v}-P6_3mc}
Символ Пирсона ~\mathsf{cF8} ~\mathsf{hP8} ~\mathsf{hP12}
Постоянные решётки (Å) ~4.3596 ~3.0730; 10.053 ~3.0730; 15.11
Плотность (г/см³) 3.21 3.21 3.21
Ширина запрещенной зоны (еВ) 2.36 3.23 3.05
МОС (ГПа) 250 220 220
Теплопроводность (Вт/(см·К)) 3.6 3.7 4.9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до черного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обуславливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию внешнего слоя.

Высокая температура сублимации карбидокремния (около 2700 °C) делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении. Кроме того, является весьма инертным химическим веществом.

В настоящее время существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где его высокая теплопроводность, высокое электрическое поле пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств [25]. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0·10−6K) и он не испытывает фазовые переходы из-за которых может произойти разрушение монокристаллов[12].

Электропроводность

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия [2]. Металлическая проводимость была достигнута за счет сильного легирования бором, алюминием и азотом. Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К [26].

Физические свойства

Является твердым, тугоплавким веществом. Кристаллическая решетка аналогична решетке алмаза. Является полупроводником.[27]

  • Стандартная энтальпия образования (298 К, кДж/моль): −66,1[28]
  • Стандартная энергия Гиббса образования (298 К, кДж/моль): −63,7[28]
  • Стандартная энтропия образования (298 К, Дж/моль·K): 16,61[28]
  • Стандартная мольная теплоемкость (298 К, Дж/моль·K): 26,86[28]
  • Характер кристаллической решётки: атомный. Энергия кристаллической решётки: 299 ккал/г·форм[29]

Химические свойства

Карбид кремния очень устойчивое вещество и в инертной атмосфере разлагается только при очень высокой температуре:

~\mathsf{SiC \ \xrightarrow{2830^\circ C} \ Si + C}

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

~\mathsf{SiC + 2H_2O \ \xrightarrow{1300^\circ C} \ SiO_2 + CH_4}

Концентрированные окисляющие кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

~\mathsf{3SiC + 8HNO_3 \longrightarrow 3SiO_2 + 3CO_2 + 8NO + 4H_2O}
~\mathsf{3SiC + 18HF + 8HNO_3 \longrightarrow 3H_2[SiF_6] + 3CO_2 + 8NO + 10H_2O}

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

~\mathsf{3SiC + 4NaOH + O_2 \longrightarrow Na_4SiO_4 + 3C + 2H_2O}
~\mathsf{3SiC + 4NaOH + 2O_2 \ \xrightarrow{350^oC} \ Na_2SiO_3 + Na_2CO_3 + 2H_2O}

При нагревании реагирует с кислородом:

~\mathsf{2SiC + 3O_2 \ \xrightarrow{950-1700^\circ C} \ 2SiO_2 + 2CO }
с галогенами:
~\mathsf{SiC + 2Cl_2 \ \xrightarrow{600-1200^\circ C} \ SiCl_4 + C }
с азотом, образуя нитрид кремния:
~\mathsf{6SiC + 7N_2 \ \xrightarrow{1000-1400^\circ C} \ 2Si_3N_4 + 3C_2N_2 }
с активными металлами:
~\mathsf{2SiC + 5Mg \ \xrightarrow{700^\circ C} \ 2Mg_2Si + MgC_2 }
и их пероксидами:
~\mathsf{SiC + 4Na_2O_2 \ \xrightarrow{700-800^\circ C} \ Na_2SiO_3 + Na_2CO_3 + 2Na_2O }

Применение

Абразивные и режущие инструменты

Режущие диски из карбида кремния

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за его высокой твердости он используется в абразивной обработке в таких процессах как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйная обработка. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки[30].

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей [31].

Конструкционные материалы

Карбид кремния используется в качестве лицевого слоя композитной секции противопулевого бронежилета

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния исследовался в нескольких научно-исследовательских программах разработки высокотемпературных газовых турбин в США, Японии и Европе. Планировалось, что разработаные компоненты из карбида кремния заменят рабочие и сопловые лопатки турбин из никелевых жаропрочных сплавов. Тем не менее, ни один из этих проектов не привел к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударным нагрузкам и низкой вязкости разрушения карбида кремния [32].

Подобно другим высокотвердым керамическим материалам (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется как компонент композитной брони, применяемой для защиты вооружения и военной техники, а также в виде составного элемента слоистой брони керамика/органопластик противопульных жилетов. В бронежилете «Кожа дракона», созданном компанией Pinnacle Armor, используются диски из карбида кремния [33].

Автомобильные запчасти

Углерод-керамические (карбид кремния) дисковые тормоза Porsche Carrera GT

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод» становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, Chevrolet Corvette ZR1, Bentley, Ferrari, Lamborghini[34]. Карбид кремния используется также в спеченных формах в дизельных фильтрах для очистки от твердых частиц[35].

Электроника и электротехника

Первыми электрическими устройствами из SiC были нелинейные элементы вентильных разрядников для защиты электроустановок от перенапряжений. Карбид кремния в разрядниках применяется в виде материала вилита - смеси SiC и связующего. Также на основе карбида кремния делают варисторы.Эти элементы должны были обладать высоким сопротивлением до тех пор пока напряжение на них не достигнет определенного порогового значения VT, после чего их сопротивление должно упасть до более низкого уровня и поддерживать этот уровень, пока приложенное напряжение падает ниже VT[36].

Электронные приборы

Ультрафиолетовый светодиод

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, N-МОП-транзисторах и в высокотемпературных тиристорах[37]. По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

  • в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
  • в 10 раз большая электрическая прочность;
  • высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
  • теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
  • устойчивость к воздействию радиации;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Из почти двухсот пятидесяти модификаций карбида кремния только две применяются в полупроводниковых приборах — 4H-SiC и 6H-SiC.

Проблемы с интерфейсом элементов основанных на диоксиде кремния препятствуют развитию N-МОП-транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро [38].

История светодиодов из SiC весьма примечательна: первые светодиоды с использованием SiC были продемонстрированы в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Желтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в Советском Союзе в 1970-х годах[39], а синие (из 6H-SiC) по всему миру в 1980-х [40]. Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10-100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещенной зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещенную зону, которая способствует увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах[40].

Астрономия

Низкий коэффициент теплового расширения, высокая прочность, жесткость и теплопроводность делает карбид кремния нужным материалом для зеркал в астрономических телескопах. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволило создавать диски поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Заготовки зеркала формируются из чистого мелкого порошка карбида кремния под высоким давлением. Несколько телескопов уже оснащены оптикой из карбида кремния[41][42].

Пирометрия

Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. При измерении тонкие нити (диаметр 15 мкм) из карбида кремния вводят в зону измерения. Волокна практически не влияют на процесс горения, а их температура близка к температуре пламени. Таким методом может быть измерена температура в диапазоне 800—2500 K[43][44].

Элементы нагревания

Ссылки на то, что карбид кремния использовался в нагревательных элементах существуют с начала 20-го века, когда они были изготовлены The Carborundum Company в США и EKL в Берлине. Карбид кремния помог увеличить рабочую температуру по сравнению с металлическими нагревателями. Элементы из карбида кремния используются сегодня при плавлении цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.[45]

Элементы ядерного топлива

Карбид кремния часто используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных газовых реакторах или в очень высокотемпературных реакторах. Карбид кремния обеспечивает механическую устойчивость к топливу и является основным барьером для диффузии продуктов деления[46].

Ювелирные изделия

Кольцо с муассанитом

Чаще всего он использовался в качестве абразива, но в последнее время можно найти применение данного вещества и в качестве полупроводника или как имитатор алмаза ювелирного качества

Как ювелирный камень карбид кремния используется в ювелирном деле: называется «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и тверд (9—9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65—2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза). Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический диоксид циркония. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см³ (против 3,53 г/см³ для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с четкими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям. В отличие от алмаза, который горит при температуре 800 °C, муассанит остается неповрежденным вплоть до температуры в 1800 °C (для сравнения: 1064 °C — температура плавления чистого золота). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза, и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зеленой или желтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете [47].

Производство стали

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержания микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом[48].

Катализатор

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид[49][50].

Производство графена

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений[51][52].

См. также

Примечания

  1. Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals. — McGraw-Hill, 2002. — ISBN 0070494398
  2. 1 2 Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  3. Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing. — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606
  4. Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material»
  5. The Manufacture of Carborundum — a New Industry (4/7/1894).
  6. Dunwoody, Henry H.C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector)
  7. Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha A History of Electroluminescent Displays. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  8. Moissan, Henri (1904). «Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo». Comptes rendus 139: 773–86.
  9. Di Pierro S., Gnos E., Grobety B.H., Armbruster T., Bernasconi S.M., and Ulmer P. (2003). «Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide)». American Mineralogist 88: 1817–21.
  10. Alexander, C. M. O'D. (1990). «In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites». Nature 348: 715–17. DOI:10.1038/348715a0.
  11. «The Astrophysical Nature of Silicon Carbide».
  12. 1 2 3 Harris, Gary Lynn Свойства карбида кремния = Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180. — ISBN 0852968701
  13. Lely, Jan Anthony Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Журнал Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft. — 1955. — В. 32. — С. 229—236.
  14. N.Ohtani, T.Fujimoto, T.Aigo, M.Katsuno, H.Tsuge, H.Yashiro Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report no. 84. — 2001.
  15. Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology. — Springer, 2003. — С. 180-200. — ISBN 3540003673
  16. Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) // журнал Advanced Materials. — 2004. — С. 706. — DOI:10.1002/adma.200306467
  17. Park, Yoon-Soo SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — С. 20–60. — ISBN 0127521607
  18. Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres // Journal of Materials Science. — 2006. — С. 823. — DOI:10.1007/s10853-006-6566-z
  19. Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide. — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — С. 260. — DOI:10.1021/cm00027a007
  20. Cheung, Rebecca Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. — Imperial College Press, 2006. — С. 3. — ISBN 1860946240
  21. Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463
  22. Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide : free download. — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044204
  23. Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012. Проверено 6 июня 2009.
  24. Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R Weber SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — P. 1–18. — ISBN 0127521607
  25. Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices. — IEEE Transactions on Electron Devices, Март 1993. — В. 3. — С. 645–655. — DOI:10.1109/16.199372
  26. Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (английский) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — В. 9. — С. 044205. — DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044205
  27. Важнейшие соединения кремния  (рус.).(недоступная ссылка — история) Проверено 24 мая 2010.
  28. 1 2 3 4 Кремния карбид  (рус.). Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012. Проверено 24 мая 2010.
  29. А. М. Голуб Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.
  30. Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759
  31. Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites. — Springer, 2005. — С. 312. — ISBN 1402081332
  32. Ceramics for turbine engines.
  33. Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight. Future Firepower. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  34. Top 10 Fast Cars.
  35. O'Sullivan, D.; Pomeroy, M.J.; Hampshire, S.; Murtagh, M.J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits // MRS proceedings. — 2004. — В. 19. — С. 2913–2921. — DOI:10.1557/JMR.2004.0373
  36. Whitaker, Jerry C. The electronics handbook. — CRC Press, 2005. — С. 1108. — ISBN 0849318890
  37. Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices // IEEE Transactions on Electron Devices. — март, 1993. — В. 3. — С. 645–655. — DOI:10.1109/16.199372
  38. Madar, Roland Materials science: Silicon carbide in contention : Журнал Nature. — 2004-08-26. — В. 430. — С. 974–975. — DOI:10.1038/430974a
  39. Yellow SiC LED. Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  40. 1 2 Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes. — Academic Press, 1997. — С. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569
  41. The largest telescope mirror ever put into space, European Space Agency.
  42. Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope. — Журнал Proc. SPIE. — С. 263.
  43. Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames (английский), NASA.
  44. Maun, Jignesh D.; Sunderland, PB; Urban, DL Thin-filament pyrometry with a digital still camera : Applied Optics. — 2007. — В. 4. — С. 483. — DOI:10.1364/AO.46.000483 — PMID 17230239.
  45. Yeshvant V. Deshmukh Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383–393. — ISBN 0849334055
  46. López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties : Journal of Nuclear Materials. — 2009. — С. 219. — DOI:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013
  47. O'Donoghue, M. Gems. — Elsevier. — 2006. — С. 89. — ISBN 0-75-065856-8
  48. Silicon carbide (steel industry) (английский). Архивировано из первоисточника 24 апреля 2012.
  49. Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts: heterogeneous catalysts. — CRC Press, 2000. — С. 258. — ISBN 0849394171
  50. Singh, S. K.; Parida, K. M.; Mohanty, B. C.; Rao, S. B. High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts : Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — С. 29. — DOI:10.1007/BF02071177
  51. de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics. — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381
  52. de Heer, Walt A. Epitaxial graphene : Solid State Communications. — 2007. — С. 92. — DOI:10.1016/j.ssc.2007.04.023

Ссылки


Wikimedia Foundation. 2010.

Смотреть что такое "Карбид кремния" в других словарях:

  • карбид кремния — Ндп. карборунд Искусственный абразивный материал, состоящий, в основном, из кристаллов гексагонального карбида кремния, изготовленный термическим путем из кварцевого и углеродистого сырья. Примечание Различают зеленый карбид кремния и черный… …   Справочник технического переводчика

  • Карбид кремния — – искусственный абразивный материал, состоящий, в основном, из кристаллов гексагонального карбида кремния, изготовленный термическим путем из кварцевого и углеродистого сырья. Примечание. Различают зеленый карбид кремния и черный карбид… …   Энциклопедия терминов, определений и пояснений строительных материалов

  • КАРБИД КРЕМНИЯ — (карборунд) соединение кремния с углеродом; кристаллическое вещество с алмазным блеском, тугоплавок, по твёрдости уступает только алмазу, эльбору (BN) и карбиду бора, стоек в различных средах даже при высоких температурах. К. к. применяют как (см …   Большая политехническая энциклопедия

  • КАРБИД КРЕМНИЯ — карборунд, SiC соединение кремния с углеродом; в чистом виде бесцветные кристаллы с алмазным блеском, технический продукт зеленого или черного цвета. Карбид кремния тугоплавок, плавится с разложением при 2830° С. По твердости уступает только… …   Металлургический словарь

  • Карбид кремния — Смотри Карбид кремния, карборунд, Sic …   Энциклопедический словарь по металлургии

  • карбид кремния — karborundas statusas T sritis chemija formulė SiC atitikmenys: angl. carborundum rus. карбид кремния; карборунд ryšiai: sinonimas – silicio karbidas …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • Карбид кремния —         карборунд, SiC, соединение кремния с углеродом; см. Кремния карбид …   Большая советская энциклопедия

  • карбид кремния — углеродистый кремний, карборунд …   Cловарь химических синонимов I

  • Карбид кремния, карборунд, Sic — соединение кремния с углеродом; в чистом виде бесцветен. Кристаллы с алмазным блеском, технический продукт зеленого или черного цвета. Карбид кремния тугоплавок, плавится с разложением при 2830° С. По твердости уступает только алмазу и карбиду… …   Энциклопедический словарь по металлургии

  • муассанит (карбид кремния) — …   Словарь синонимов

Книги

  • Карбид кремния, Джесси Рассел. Эта книга будет изготовлена в соответствии с Вашим заказом по технологии Print-on-Demand. High Quality Content by WIKIPEDIA articles! Карби?д кре?мния (карбору?нд) — бинарное неорганическое… Подробнее  Купить за 1147 руб
  • Карбид кремния, . За последние годы карбид кремния находит все большее применение в технике. На его основе изготовляются новые типы источников света, высокотемпературные выпрямители и детекторы ядерных частиц.… Подробнее  Купить за 740 руб
Другие книги по запросу «Карбид кремния» >>


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»