- Советские микросхемы для построения запоминающих устройств
-
Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований с создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.
Содержание
Сводные данные микросхем, применяемых в СССР для создания памяти компьютера
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств, применяемые в ЭВМ Тип микросхемы Технология изготовления Информационный объём, Кбит Организация, слов × разрядов Время выборки адреса, мс Потребляемая мощность, мВт Статические ОЗУ К550РУ145 ЭСЛ 0,064 0,016 К × 1 10 825 К531РУ11П ТТЛШ 0,064 0,016 К × 1 40 550 К155РУ5 ТТЛ 0,256 0,256 К × 1 90 735 К176РУ2 КМОП 0,256 0,256 К × 1 900 19 К561РУ2А/Б КМОП 0,256 0,256 К × 1 970/1600 2,8/5 К132РУ2А/Б n-МОП 1 1 К × 1 950 440 К132РУ3А/Б n-МОП 1 1 К × 1 75/125 660 К155РУ7 ТТЛ 1 1 К × 1 45 840 К537РУ1А/Б/В КМОП 1 1 К × 1 1,3/2/4 0,5 КР565РУ2А/Б n-МОП 1 1 К × 1 450 /850 385 КМ132РУ8А/Б n-МОП 4 К 1 К × 4 60/100 900 К541РУ2А И2Л 4 К 1 К × 4 120/90 525 КР537РУ3А/Б/В КМОП 4 К 4 К × 1 320 110 К541РУ31…34 И2Л 8 К 8 К × 1 150 565 КР537РУ8А/Б КМОП 16 К 2 К × 8 220/400 160 КР132РУ6А/Б n-МОП 16 К 16 К × 1 75/120 140/440 К541РУ3/А И2Л 16 К 16 К × 1 150/100 565 Динамические ОЗУ КР565РУ6Б/В/Г/Д n-МОП 16 К 16 К×1 230…460 150/140/130/120 К565РУ5Б/В/Г/Д n-МОП 64 К 64 К×1 230…460 21…32 К565РУ7В/Г/Д n-МОП 256 К 256 К×1 340/410/500 120…150 Масочные ПЗУ К155РЕ21/22/23/24 ТТЛ 1 К 256×4 70 690 КР568РЕ2 n-МОП 64 К 8 К×8 400 590 К569РЕ1 ТТЛ 64 К 8 К×8 350 640 КР568РЕ3 n-МОП 64 К 16 К×4 800 300 Однократно программируемые ПЗУ КР556РТ1Б ТТЛШ 8 К 2К×4 60 740 КР556РТ16 ТТЛШ 64 К 8К×8 85 1000 КР556РТ17 ТТЛШ 4 К 0,512К×8 50 890 КР556РТ18 ТТЛШ 16 К 2К×8 60 950 Репрограммируемые ПЗУ К573РФ23/24 n-МОП 8К 2К×4 450 200/580 К573РФ33/34 n-МОП 16 К 1К×16 200/580 200/580 К573РФ2 n-МОП 16 К 2К×8 450 200/580 К537РФ5 n-МОП 16 К 2К×8 450 135/580 К573РФ31/32 n-МОП 32 К 2К×16 450 450 К537РФ41/42 n-МОП 32 К 4К×8 500 700 К573РФ43/44 n-МОП 32 К 8К×4 Н/Д Н/Д К573РФ3 n-МОП 64 К 4К×16 450 210/450 К573РФ4 n-МОП 64 К 8К×8 500 200/700 К573РФ6 n-МОП 64 К 8К×8 500 265/870 Дополнительные сведения: Интегрально-инжекционная логикаДополнительные сведения: N-МОПДополнительные сведения: Эмиттерно-связанная логикаДополнительные сведения: Транзисторно-транзисторная логикаДополнительные сведения: Постоянное запоминающее устройствоДополнительные сведения: Оперативная памятьДополнительные сведения: SRAM (память)Дополнительные сведения: DRAMМикросхемы для построения оперативной памяти
ИМС Тип корпуса Примечание Серия К132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В К132РУ3А 4112.16-2 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс К132РУ3Б 4112.16-2 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс Серия КМ132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В КМ132РУ3А 201.16-8 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс КМ132РУ3Б 201.16-8 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс КМ132РУ5А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нс КМ132РУ5В 2104.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нс КМ132РУ8А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нс КМ132РУ8Б 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нс КМ132РУ9А 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нс КМ132РУ9Б 2104.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс Серия КР132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В КР132РУ3А 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс КР132РУ3Б 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс КР132РУ4А 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 33нс КР132РУ4Б 2103.16-6 Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нс КР132РУ6А 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВт КР132РУ6Б 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВт КР132РУ7 2140Ю.20-3 Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс Серия КМ185 ТТЛ ОЗУ; +5 В КМ185РУ7 2108.22-1 ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт КМ185РУ7А 2108.22-1 ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт КМ185РУ8 2108.22-1 ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВт КМ185РУ10 2108.22-1 ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт Серия КР185 ТТЛ ОЗУ; +5В КР185РУ7 210А.22-3 ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт КР185РУ7А 210А.22-3 ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт Серия КР188 КМОП статические ОЗУ КР188РУ2А 238.16-1 Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс Серия К537 КМОП статические ОЗУ; +5 В К537РУ3А 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс К537РУ3Б 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс К537РУ4А 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40мкВт (в режиме хранения информации) К537РУ4Б 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80мкВт (в режиме хранения информации) К537РУ4В 4116.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80мкВт (в режиме хранения информации) К537РУ13 427.18-2.02 Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60мкВт (в режиме хранения информации) Серия КМ537 КМОП статические ОЗУ; +5 В КМ537РУ1 201.16-15 Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс Серия КР537 КМОП статические ОЗУ; +5 В КР537РУ1 238.16-1 Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс КР537РУ2А 2107.18-4 Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс КР537РУ2Б 2107.18-4 Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нс КР537РУ3А 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации) КР537РУ3Б 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт(в режиме хранения информации) КР537РУ5А 210А.22-3 Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нс КР537РУ5Б 210А.22-3 Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нс КР537РУ8А 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нс КР537РУ8Б 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нс КР537РУ10А 239.24-2 Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нс КР537РУ11А 239.24-2 Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации) КР537РУ11Б 239.24-2 Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации) КР537РУ13 2107.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс Серия К541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В К541РТ1 402.16-21 ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВт К541РУ2 427.18-2.03 Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс К541РУ2А 427.18-2.03 Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт Серия КР541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В КР541РУ1 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВт КР541РУ1А 2107.18-1 Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВт КР541РУ2 2107.18-1 Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт Серия КЕ565 n-МОП-ОЗУ КЕ565РУ1А 2108.22-8 Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, -5, -12 В КЕ565РУ1Б 2108.22-8 Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, -5, -12 В Серия КР565 n-МОП-ОЗУ КР565РУ1А 210А.22-3 Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, -5, -12В КР565РУ1Б 210А.22-3 Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, -5, -12В КР565РУ5В 2103.16-8 Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВт КР565РУ5Г 2103.16-8 Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВт КР565РУ5Е 2103.16-8 Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВт КР565РУ6Б 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 120 нс; +5В; 140 мВт КР565РУ6В 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 120 мВт КР565РУ6Г 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 115 мВт КР565РУ6Д 2103.16-2 Динамическое ОЗУ 64К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт Серия К1500 ЭСЛ с повышенным быстродействием; -4,5 В К1500РУ073 4114.24-3 ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт Серия КМ1603 КМ1603РУ1 210А.22-1 Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации) К565РУ3
К565РУ3
К565РУ3 - электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 16384 бит и организацию 16384х1.
К565РУ7
Микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n-канальных МОП-транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит (организация 262 144 ? 1 разряд).
Микросхемы для построения постоянной памяти
Этот раздел статьи ещё не написан. Согласно замыслу одного из участников Википедии, на этом месте должен располагаться специальный раздел.
Вы можете помочь проекту, написав этот раздел.ИМС Тип корпуса Примечание Серия КР556 ТТЛШ-ППЗУ; КР556РТ2 2121.28-1 Матрица ПЛМ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТС КР556РТ4 238.16-2 ПЗУ 256×4; ОК; 70нс; 683мВт КР556РТ4А 238.16-2 ПЗУ 256×4; ОК; 45нс; 683мВт КР556РТ5 239.24-2 ПЗУ 512×8; ОК; 70нс; 1Вт КР556РТ6 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ОК; 80нс; 1Вт КР556РТ7 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ТС; 80нс; 1Вт КР556РТ16 239.24-2 ПЗУ 8Kx8; ТС; 85нс; 950мВт КР556РТ18 239.24-2 ПЗУ 2Kx8; ТС; 60нс; 900мВт КР556РТ20 239.24-2 ПЗУ 1Kx8; ТС; 30нс; 960мВт Серия КР558 ЭППЗУ; +5, -12В КР558РР1 405.24-7 ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370мВт КР558РР2А 405.24-7 ЭППЗУ 2Кx8; 350нс; 490мВт КР558РР2Б 405.24-7 ЭППЗУ 2Кx8; 700нс; 490мВт КР558РР4 2121.28-5 ЭППЗУ 8Кx8; 400нс; 400мВт КР558ХП1 239.24-2 7-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кода КР558ХП2 2103.16-6 24-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310мВт Серия КР568 МОП-ПЗУ; +5, +12, -5В КР568РЕ1 2120.24-3 ПЗУ статического типа 2Кx8; 700нс КР568РЕ2 2121.28-5 ПЗУ 8Кx8; 250нс; 420мВт КР568РЕ3 2121.28-5 ПЗУ 16Кx8; 550нс; 315мВт Серия 582 ППЗУ КР568РЕ2 2121.28-5 ПЗУ 8Кx8; 250нс; 420мВт КР568РЕ3 2121.28-5 ПЗУ 16Кx8; 550нс; 315мВт Серия 583 ППЗУ К573РР2 2120.24-1.02 ЭППЗУ 2Кx8; 350нс; +5В; 590мВт К573РР21 2120.24-1.02 ЭППЗУ 1Кx8; 350нс; +5В; 590мВт К573РР22 2120.24-1.02 ЭППЗУ 1Кx8; 350нс; +5В; 590мВт К573РФ1 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт К573РФ2 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ3 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400нс; +5В; 200мВт К573РФ3А 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550нс; +5В; 446мВт К573РФ3Б 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800нс; +5В; 446мВт К573РФ4А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ4Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ5 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; +5В; 525мВт К573РФ6А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ6Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ7 2121.28-6 ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300нс; 600мВт К573РФ11 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450нс; 820мВт К573РФ12 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450нс; 820мВт К573РФ13 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт К573РФ14 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 820мВт К573РФ21 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ22 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ23 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ24 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450нс; 440мВт К573РФ31 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ32 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ33 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ34 210Б.24-5 ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400нс; 400мВт К573РФ41А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ41Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ42А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ42Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ43А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ43Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ44А 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 650мВт К573РФ44Б 2121.28-8 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 650мВт К573РФ61А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ61Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ62А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ62Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ63А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ63Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 790мВт К573РФ64А 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300нс; +5В; 790мВт К573РФ64Б 2121.28-6.04 ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450нс; +5В; 790мВт Ссылки
1. Музей электронных раритетов — http://www.155la3.ru/k565ru3.htm
Литература
- Алишов Надир Исмаил-оглы, Нестеренко Николай Васильевич, Новиков Борис Васильевич, Реутов Владимир Борисович, Романов Владимир Александрович, Цвентух Фёдор Андреевич, Яковлев Юрий Сергеевич Глава 2.3 БИС ЗУ для построения внутренней памяти // Справочник по персональным ЭВМ / Под. ред. чл.-корр. АН УССР Б.Н.Малиновского. — К.: «Тэхника», 1990. — 384 с. — 45 000 экз. — ISBN 5-335-00168-2
Микросхемы, производившиеся в СССР Технологии РТЛ • ДТЛ • ТТЛ • ЭСЛ • N-МОП • КМОП • И3Л Система
обозначения по
ГОСТ 18682-73Конструктивно-
технологическое
исполнение1; 5; 7 — полупроводниковая • 2; 4; 6; 8 — гибридная • 3 — прочие Серия 100 • 101 • 104 • 106 • 108 • 109 • 110 • 113 • 114 • 115 • 118 • 119 • 120 • 121 • 122 • 123 • 124 • 128 • 129 • 130 • 131 • 133 • 134 • 136 • 137 • 138 • 140 • 141 • 142 • 144 • 146 • 149 • 153 • 155 • 157 • 158 • 159 • 162 • 166 • 167 • 172 • 173 • 174 • 176 • 177 • 178 • 187 • 190 • 198 • 201 • 204 • 210 • 217 • 218 • 223 • 224 • 226 • 228 • 229 • 230 • 237 • 243 • 264 • 265 • 284 • 504 • 511 • 580 • 1801 • 1810 • 1839 Выполняемая
функцияВторичные источники питания — Е Выпрямители ЕВ • Преобразователи ЕМ • Стабилизаторы: напряжения ЕН • тока ЕТ • Прочие ЕП Генераторы сигналов — Г Гармонических ГС • Прямоугольных (мультивибраторы) ГГ • Линейно-изменяющихся ГЛ • Специальной формы ГФ • Шума ГМ • Прочие ГП Детекторы — Д Амплитудные ДА • Импульсные ДИ • Частотные ДС • Фазовые ДФ • Прочие ДП Коммутаторы и ключи — К Тока КТ • Напряжения КН • Прочие КП Логические элементы — Л И ЛИ • ИЛИ ЛЛ • НЕ ЛН • И-ИЛИ ЛС • И-НЕ/ИЛИ-НЕ ЛБ • И-ИЛИ-НЕ ЛР • И-ИЛИ-НЕ/И-НЕ ЛК • ИЛИ-НЕ/ИЛИ ЛМ • Расширители ЛД • Прочие ЛП Микросборки,
наборы элементов — НДиодов НД • Транзисторов НТ • Резисторов НР • Конденсаторов НЕ • Комбинированные НК • Прочие НП Многофункциональные
микросхемы — ХАналоговые ХА • Цифровые ХЛ • Комбинированные ХК • Прочие ХП Модуляторы — М Амплитудные МА • Частотные МС • Фазовые МФ • Импульсные МИ • Прочие МП Преобразователи — П Частоты ПС • Фазы ПФ • Длительности ПД • Напряжения ПН • Мощности ПМ • Уровня (согласователи) ПУ • Код-аналог ПА • Аналог-код ПВ • Код-код ПР • Прочие ПП Схемы задержки — Б Пассивные БМ • Активные БР • Прочие БП Схемы селекции
и сравнения — САмплитудные (уровня сигнала) СА • Временные СВ • Частотные СС • Фазовые СВ • Прочие СП Триггеры — Т JK-типа ТВ • RS-типа (с раздельным запуском) ТР • D-типа ТМ • T-типа ТТ • Динамические ТД • Шмитта ТЛ • Комбинированные ТК • Прочие ТП Усилители — У Высокой частоты УВ • Промежуточной частоты УР • Низкой частоты УН • Импульсных сигналов УИ • Повторители УЕ • Считывания и воспроизведения УЛ • Индикации УМ • Постоянного тока УТ • Операционные и дифференциальные УД • Прочие УП Фильтры — Ф Верхних частот ФВ • Нижних частот ФН • Полосовые ФЕ • Режекторные ФР • Прочие ФП Формирователи — А Импульсов прямоугольной формы АГ • Адресных токов (формирователи напряжений и токов) АА • Импульсов специальной формы АФ • Разрядных токов (формирователи напряжений и токов) АР • Прочие АП Элементы
арифметических
устройств — ИРегистры ИР • Сумматоры ИМ • Полусумматоры ИЛ • Счётчики ИЕ • Шифраторы ИВ • Дешифраторы ИД • Комбинированные ИК • Прочие ИП Элементы запоминающих устройств — Р Матрицы-накопители ОЗУ РМ • Матрицы-накопители ПЗУ РВ • Матрицы-накопители ОЗУ со схемами управления РУ • Матрицы-накопители ПЗУ со схемами управления РЕ • ППЗУ с ультрафиолетовым стиранием РФ • Матрицы различного назначения РП Тип корпуса
(ГОСТ 17467-72)Тип 1 • Тип 2 • Тип 3 • Тип 4 • Производители Ангстрем • Алмаз • ВНИИС • ЕРЗ • ИРЗ • Интеграл • Полёт • МНИИПА • НИИЭТ • МЦСТ Микроконтроллеры Архитектура 8-бит MCS-51 • MCS-48 • PIC • AVR • Z8 • H8 • COP8 • 68HC08 • 68HC11 16-бит MSP430 • MCS-96 • MCS-296 • PIC24 • MAXQ • Nios • 68HC12 • 68HC16 32-бит ARM • MIPS • AVR32 • PIC32 • 683XX • M32R • SuperH • Nios II • Am29000 • LatticeMico32 • MPC5xx • PowerQUICC • Parallax Propeller Производители Analog Devices • Atmel • Silabs • Freescale • Fujitsu • Holtek • Hynix • Infineon • Intel • Microchip • Maxim • Parallax • NXP Semiconductors • Renesas • Texas Instruments • Toshiba • Ubicom • Zilog • Cypress Компоненты Регистр • Процессор • SRAM • EEPROM • Флеш-память • Кварцевый резонатор • Кварцевый генератор • RC-генератор • Корпус Периферия Таймер • АЦП • ЦАП • Компаратор • ШИМ-контроллер • Счётчик • LCD • Датчик температуры • Watchdog Timer Интерфейсы CAN • UART • USB • SPI • I²C • Ethernet • 1-Wire ОС FreeRTOS • μClinux • BeRTOS • ChibiOS/RT • eCos • RTEMS • Unison • MicroC/OS-II • Nucleus Программирование JTAG • C2 • Программатор • Ассемблер • Прерывание • MPLAB • AVR Studio • MCStudio Категории:- История компьютерной техники
- Цифровые интегральные схемы
- Запоминающие устройства
Wikimedia Foundation. 2010.
