- эпитаксия газофазная
-
- Термин
- эпитаксия газофазная
- Термин на английском
- metalorganic vapour phase epitaxy
- Синонимы
- Аббревиатуры
- MOVPE
- Связанные термины
- гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия молекулярно-лучевая, метод
- Определение
1) разновидность эпитаксии как одного из нанотехнологических методов получения полупроводниковых гетероструктур;
2) разновидность метода химического осаждения из газовой фазы, при которой формируются эпитаксиальные пленки.
- Описание
Газофазное эпитаксиальное наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ осуществляется из металлоорганических соединений в реакторе при пониженном давлении. Газофазная эпитаксия первоначально разрабатывалась для выращивания кремния и арсенида галлия, сейчас применяется для выращивания большинства полупроводниковых материалов, используемых в микро- и оптоэлектронике. В реакторе располагаются подложки (тонкие срезы монокристалла), к которым поступает газовая смесь. При выращивании кремния основным компонентом газовой смеси является тетрахлорид кремния SiCl4 или силан SiH4, при выращивании арсенидов и фосфидов - алкилы соответствующих металлов (Ga(CH3)3, Al(CH3)3, Ga(C2H5)3, In(C2H5)3), а также арсин AsH3 и фосфин PH3. Газовая смесь при высокой температуре пиролитически разлагается вблизи поверхности роста, и элементы третьей группы взаимодействуют с элементами пятой группы, образуя соединения AIIIBV. В результате происходит послойное формирование полупроводникового соединения. С помощью газовой эпитаксии выращивают гетероструктуры GaAlAs/GaAs с квантовыми ямами для инжекционных лазеров, гетероструктуры GaAs/GaAlAs с селективным легированием, гетероструктуры с квантовыми точками, широкозонные полупроводниковые материалы на основе GaN для изготовления синих и зелёных светодиодов и коротковолновых лазеров.
- Авторы
- Гусев Александр Иванович, д.ф.-м.н.
- Ссылки
- А. И. Гусев. Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии. Изд. 2-е, исправленное и до-полненное. Москва: Наука-Физматлит, 2007. 416 с.
- Иллюстрации
Схема реактора установки газофазной эпитаксии
- Теги
- Разделы
- Эпитаксиальные слои
Химическое, термическое и электродуговое ocаждение из газовой фазы (в том числе CVD, EVD, MoCVD, PVD и аналоги)
Получение, диагностика и сертификация наноразмерных систем
(Источник: «Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО») - Термин
Энциклопедический словарь нанотехнологий. — Роснано. 2010.