- Мемристор
-
Мемристор (англ. memristor, от memory — «память», и resistor — «электрическое сопротивление») — пассивный элемент в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление в зависимости от протекавшего через него заряда (интеграла тока за время работы).
Может быть описан как двухполюсник с нелинейной вольт-амперной характеристикой, обладающий гистерезисом.
Содержание
Математическая модель
Теория мемристора была создана в 1971 году профессором Леоном Чуа.
Устанавливает отношения между интегралами по времени силы тока, протекающего через элемент, и напряжения на нем. Долгое время мемристор считался теоретическим объектом, который нельзя построить.
Однако, лабораторный образец мемристора был создан[1] в 2008 году коллективом ученых во главе с Р. С. Уильямсом в исследовательской лаборатории фирмы Hewlett-Packard. В отличие от теоретической модели, устройство не накапливает заряд, подобно конденсатору, и не поддерживает магнитный поток, как катушка индуктивности. Работа устройства обеспечивается за счет химических превращений в тонкой (5 нм) двухслойной пленке двуокиси титана. Один из слоев пленки слегка обеднен кислородом, и кислородные вакансии мигрируют между слоями под действием приложенного к устройству электрического напряжения. Данную реализацию мемристора следует отнести к классу наноионных устройств.
Наблюдающееся в мемристоре явление гистерезиса позволяет использовать его в качестве ячейки памяти. В принципе, мемристоры могут заменить транзисторы во многих случаях, но такая возможность пока рассматривается только гипотетически.
Теоретически они могут быть более емкими и быстрыми чем современная флеш-память. Также их блоки могут заменить RAM. Их умение «запоминать» заряд позволит отказаться от загрузки системы. В памяти компьютера отключенного от питания будет храниться его последнее состояние. Его можно будет включить и начать работу с того места, на котором остановился. Это же свойство позволит отказаться от некоторых компонентов современного ПК, что позволит сделать компьютеры меньше и дешевле.
Файл:Memristor.jpgAn array of 17 purpose-built oxygen-depleted titanium dioxide memristors built at HP Labs, imaged by an atomic force microscope. The wires are about 50 nm, or 150 atoms, wide.[2] Electric current through the memristors shifts the oxygen vacancies, causing a gradual and persistent change in electrical resistance.[3]Технология на данный момент готова к производству компаниями Hynix и HP. Планировалось, что накопители на базе мемристоров выйдут в 2013 году, но выпуск был перенесён на 2014 год, так как компании не хотят подрывать очень выгодный рынок флэш-памяти (SSD), которая по сравнению с мемристорами дорога и относительно ненадёжна. [4][5]
Применение
Мемристоры можно будет использовать для создания искусственных нейронов и электронного мозга[6].
Примечания
- ↑ Мемистор ли, мемристор ли, лишь бы без истерик | Сайт журнала «Компьютерное Обозрение»
- ↑ Bush, S. HP nano device implements memristor. Electronics Weekly (2 May 2008). Архивировано из первоисточника 19 октября 2012.
- ↑ Kanellos, M. HP makes memory from a once-theoretical circuit (30 April 2008). Архивировано из первоисточника 19 октября 2012.
- ↑ Разработка мемристоров завершена, но HP и Hynix не хотят подрывать рынок флэш-памяти
- ↑ Memristors' one-year delay will hit IT in the wallet
- ↑ Ученые предложили принципиальную схему электронного мозга
См. также
Ссылки
- Олег Нечай Мемристор: "недостающий элемент" // Компьютерра-Онлайн, 3 февраля 2011 года
В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена.
Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники.
Эта отметка установлена 13 мая 2011.Категории:- Пассивные компоненты
- Нанотехнология
Wikimedia Foundation. 2010.