МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с … Физическая энциклопедия
Конвенция — (Convention) Содержание Содержание Определение Всемирная об авторском праве Содержание Бернская конвенция 1886 года Основные принципы Права, устанавливаемые конвенцией Гаагская вексельная конвенция Европейская конвенция о защите и основных свобод … Энциклопедия инвестора
Эффект поля — в МОП структуре Эффект поля (англ. Field effect) в широком смысле состоит в управлении эле … Википедия
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
Стабилитрон — У этого термина существуют и другие значения, см. Стабилитрон (значения) … Википедия
Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… … Википедия
Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… … Википедия
Биполярное аффективное расстройство — Биполярное аффективное расстройство … Википедия
Источник опорного напряжения — Источник, или генератор, опорного напряжения (ИОН) базовый электронный узел, поддерживающий на своём выходе высокостабильное постоянное электрическое напряжение. ИОН применяются для задания величины выходного напряжения стабилизированных… … Википедия
Квантовая емкость — (Quantum Capacitance) физическое понятие, введенное в научный оборот в 1988 году Серже Лурием для описания двумерных (2М ) систем электронного газа тогда в кремнии и арсенид галлии через стандартное понятие 2М плотности состояний. Последние… … Википедия