Басиев, Тасолтан Тазретович

Эту статью следует викифицировать. Пожалуйста, оформите её согласно правилам оформления статей.

Тасолтан Тазретович Басиев
Дата рождения:	23 сентября 1947(1947-09-23)
Место рождения:	Москва, РСФСР, СССР
Дата смерти:	26 февраля 2012(2012-02-26) (64 года)
Место смерти:	Москва, Россия
Страна:	СССР →  Российская Федерация
Научная сфера:	фотоника
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	член-корреспондент РАН
Альма-матер:	Московский энергетический институт

Тасолтан Тазретович Басиев (осет. Баситы Тазреты фырт Тасолтан; 23 сентября 1947, Москва, РСФСР — 26 февраля 2012, Москва, Российская Федерация) — советский и российский учёный в области создания материалов фотоники, член-корреспондент РАН.

Биография

В 1972 г. окончил Московский энергетический институт. В 1984 г. защитил докторскую диссертацию «Селективная лазерная спектроскопия активированных кристаллов и стекол». В 1991 г. ему было присвоено звание профессора. В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «Нанотехнологии»).

В 1972—1984 гг. — в Физическом институте им. П. Н. Лебедева АН СССР. С 1984 г. он являлся заведующим Лабораторией лазерной спектроскопии твердого тела Института общей физики (ИОФАН) АН СССР — затем РАН, а с 1999 г. — заместитель директора Научного центра лазерных материалов и технологий ИОФАН. Одновременно — научный руководитель Учебно-научного центра ИОФАН-КГТА (Ковровская государственная технологическая академия).

Член Комиссии РАН по премиям для молодых ученых РФ, Научного совета РАН по спектроскопии атомов и молекул, редколлегий журналов «Optical Materials» и «Квантовая электроника», диссертационного докторского совета. Он избран Erskine Fellow Университета Кантербери (Новая Зеландия) и Fellow Американского Оптического общества. Под его руководством защищено 16 кандидатских и 2 докторских диссертации. Автор и соавтор 412 научных работ, из них 36 обзоров, 4 монографий и 28 патентов.

Похоронен в Московской области,в Ленинском районе,д. Ямонтово,на Ивановском кладбище.

Научная деятельность

Создатель фторидной лазерной нанокерамики, новых лазерных монокристаллов; созданы твердотельные лазеры с энергией свыше 100 Дж (100 нс), пиковой мощностью более 200 ГВт (500 фс); разработал новых ВКР кристаллов и ВКР лазеров. Также:

• предложил использовать нанокластеры (Nd3+–Fi–)2, (Nd3+–Fi–)4 и (Nd3+–Fi–)6 в кристаллах CaF2, SrF2 и CdF2 в качестве логических элементов с перепутанными квантовыми состояниями для обработки информации,
• установил квадрупольный механизм когерентного перепутывания в нанокластерах и ослабленная декогерентизация; разработаны методы нанофотоники РЗ ионов в лазерных кристаллах и стеклах,
• открыл явление кооперативной “down”конверсии с квантовым выходом 200%,
• изучал возможности управления излучательными характеристиками нанокристаллов, что важно при создании двухфазных лазерных сред.

Награды и звания

Лауреат премии Ленинского комсомола, Международной премии АН СССР-ВАН, премии МАИК НАУКА.

Источники

• http://www.ras.ru/win/db/show_per.asp?P=.id-60506.ln-ru.dl-.pr-inf.uk-0
• http://portalnano.ru/read/iInfrastructure/russia/person/basiev