Фистуль

Фистуль

Фистуль, Виктор Ильич

Виктор Ильич Фистуль
Дата рождения:

1 мая 1927(1927-05-01) (82 года)
Место рождения:

Ленинград, СССР
Гражданство:

Союз Советских Социалистических Республик СССР →
Россия Россия
Научная сфера:

физика
Учёная степень:

доктор физико-математических наук
Учёное звание:

профессор
Альма-матер:

Ленинградский политехнический институт
Известен как:

обнаруживший явление политропии примеси в полупроводниках, предложивший и разработавший подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси, выведший особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках
Награды и премии


Государственная премия СССР — 1975 Государственная премия СССР — 1987

Виктор Ильич Фистуль (род. 1 мая 1927, Ленинград) — советский и российский физик, специалист в области физики полупроводников. Доктор физико-математических наук (1967), профессор (1968), академик РАЕН (физика полупроводников; 23.12.1993), заслуженный деятель науки и техники России, почетный профессор Ханойского технического университета, Международный «Человек года» Кембридж 1997—1998. Лауреат Государственной премии СССР (1975 год и 1987 год). Заведующий кафедрой, профессор Московского института тонкой химической технологии с 1977 г.

Краткая биография

Родился в г. Ленинграде; окончил Ленинградский политехнический институт в 1949 г., 1949—1952 — на инженерных должностях завода «Уралэлетроаппарат»; 1952—1964 — старший научный сотрудник, заведующий лабораторией НИИ Министерства электронной промышленности; 1964—1977 — старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, заведующий отелом Института «Гиредмет»; в 1962, 1977—2002 работал в Московском институте тонкой химической технологии, где разработал учебные курсы: «Физика полупроводников», «Экспериментальные методы исследования полупроводников», «Физика и химия твердого тела». Заведующий кафедрой (1977), профессор. Специалист в области физики полупроводников. Подготовил 44 кандидата и 6 докторов наук. Обнаружил явление политропии примесей в полупроводниках (1961), установил основные закономерности встраивания d -электронов примесей переходных металлов в полупроводниках АIIIВV, предложил и разработал подход к описанию кинетики распада полупроводниковых твердых растворов, учитывающий зарядность выпадающих атомов примеси (1969-1971), выявил особенности состояния примесей переходных металлов в полупроводниках (1970-1973). Установил основные отличия распада полупроводниковых твердых растворов от металлических. Открыл неводородоподобность примесей водорода и др. одноэлектронных атомов в полупроводниках, разработал совместно с сотрудниками теорию поведения амфотерных примесей и примесей с d- и f в полупроводниках (1970, 1989). Соавтор открытия глубокого донорного состояния атомов водорода в германии и кремнии (№ 259, 1983). Исследовал новый класс примесей, изовалентных легируемому полупроводнику (1987), разработал метод лазерной имплантации примесей в полупроводники (1983-1986). Участвовал в разработке технологии и организации промышленного производства важнейшего полупроводникового материала (1975). Читал лекции в Технологическом институте г. Бургас (Болгария, 1989), в Техническом университете и институте материаловедения в г. Ханой (Вьетнам, 1989, 1996). Автор и соавтор более 230 научных работ, включая 4 учебных пособия, 15 монографий, 32 изобретения, открытие (диплом № 159). Заслуженный деятель науки и техники России; дважды лауреат Государственной премии СССР; награжден памятной медалью им. акад. Н.С. Курнакова (1985), медалями РАЕН им. П. Л. Капицы (1995), «За заслуги в деле возрождения науки и экономики России» им. Петра I (1996).

Труды

  • Фистуль В. И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1965; 1967.
  • Victor I. Fistul. Heavily doped semiconductors. New York: Plenium Press, 1969.
  • Фистуль В. И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975; 1984.
  • Омельяновский Э. М., Фистуль В. И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. М.: Металлургия, 1983.
  • Фистуль В. И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977.
  • Фистуль В. И. Амфотерные примеси в полупроводниках. М.: Металлургия, 1992.
  • Фистуль В. И. Физика и химия твердого тела: В 2-х т: Учебник для вузов. М.: Металлургия, 1995
  • Булярский С. В., Фистуль В. И. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука; Физматлит, 1997.
  • Фистуль В. И. Фундаментальные законы классической физики. М.: Физматлит, 2002.
  • Фистуль В. И. Законы атомной и квантовой физики. М.: Физматлит, 2003.
  • Фистуль В. И. Атомы легирующих примесей в полупроводниках. М.: Физматлит, 2004.
  • Victor I. Fistul. Impurities in Semiconductors: Solubility, Migration and Interactions. CRC Press, 2004. ISBN 0-203-34163-5

Ссылки


Wikimedia Foundation. 2010.

Игры ⚽ Поможем написать курсовую

Полезное


Смотреть что такое "Фистуль" в других словарях:

  • Фистуль, Виктор Ильич — Виктор Ильич Фистуль Дата рождения: 1 мая 1927(1927 05 01) Место рождения: Ленинград, РСФСР, СССР Дата смерти: 6 июня 2011( …   Википедия

  • Фистуль, Виктор Ильич — Заведующий кафедрой, профессор Московского института тонких химических технологий с 1977 г.; родился 1 мая 1927 г. в г. Ленинграде; окончил Ленинградский политехнический институт в 1949 г., доктор физико математических наук, профессор, академик… …   Большая биографическая энциклопедия

  • Лауреаты Государственной премии СССР в области науки и техники (1980—1991) — Содержание 1 1980 2 1981 3 1982 4 1983 5 1984 6 1985 …   Википедия

  • Граничные условия Борна — Кармана — (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные условия могут быть записаны в виде …   Википедия

  • Граничные условия Борна-Кармана — (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные условия могут быть записаны в виде …   Википедия

  • Граничные условия Борна-фон Кармана — Граничные условия Борна Кармана (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные… …   Википедия

  • Граничные условия Борна — фон Кармана — Граничные условия Борна Кармана (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные… …   Википедия

  • Граничные условия Борна - Кармана — (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные условия могут быть записаны в виде …   Википедия

  • Цикличные граничные условия — Граничные условия Борна Кармана (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные… …   Википедия

  • Граничные условия Борна — Кармана (цикличные граничные условия) один из видов граничных условий, накладывающее ограничения на периодическую волновую функцию кристалла. Эти условия часто применяются при моделировании идеального кристалла. Данные условия могут быть записаны …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
… Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»