- пробой обратным напряжением
-
back-voltage breakdown
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
пробой обратным напряжением
Смотреть что такое "пробой обратным напряжением" в других словарях:
пробой p-n перехода — Явление резкого увеличения дифференциальной проводимости p n перехода при достижении обратным напряжением (током) критического для данного прибора значения. Примечание Необратимые изменения в переходе не являются необходимым следствием пробоя.… … Справочник технического переводчика
пробой р-п-перехода — Явление резкого увеличения обратного тока р п перехода при достижении обратным напряжением определенного критического значения. Примечание. Необратимые изменения в переходе не являются необходимым условием пробоя … Политехнический терминологический толковый словарь
ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Фотодиод — Фотодиод … Википедия
PMOS — pMOS технология производства полупроводниковых элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel 1702, К505РР1. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ лавинообразный пробой p n… … Википедия
Фотодиоды — Фотодиод ФД 10 100 активная площадь 10х10мм2 ФД1604 (активная площадь ячейки 1,2х4мм2 16шт) … Википедия
напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
СЕРДЦЕ — СЕРДЦЕ. Содержание: I. Сравнительная анатомия........... 162 II. Анатомия и гистология........... 167 III. Сравнительная физиология.......... 183 IV. Физиология................... 188 V. Патофизиология................ 207 VІ. Физиология, пат.… … Большая медицинская энциклопедия
