- PMOS
-
pMOS — технология производства полупроводниковых элементов. На её основе строились элементы памяти, такие, как Intel 1702, К505РР1. Это серия ЛИПЗ МОП с электрической записью и ультрафиолетовым стиранием. ЛИПЗ — лавинообразный пробой p-n перехода обратным напряжением (до 50 В). Основной носитель — электроны, так как по технологии того времени инжектировать электроны в изолированный слой было проще. Одна ячейка памяти строилась на двух транзисторах. По теоретическим данным ячейка могла хранить информацию до 10 лет.
Для улучшения этой статьи желательно?: - Викифицировать статью.
- Дополнить статью (статья слишком короткая либо содержит лишь словарное определение).
- Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное.
- Добавить иллюстрации.
- Исправить статью согласно стилистическим правилам Википедии.
Категория:- Транзисторы
Wikimedia Foundation. 2010.