эффект подложки
1МОЛТЕРА ЭФФЕКТ — эмиссия эл нов в вакуум из тонкого диэлектрич. слоя на проводящей подложке при наличии сильного электрич. поля (106 В/см) в слое. Открыт амер. радиоинженером Л. Молтером (L. Malter) в 1936 в слое Al2O3+Cs2O на Al. Эмиссионный ток быстро растёт с… …
2ОЖЕ-ЭФФЕКТ — процесс, включающий в себя заполнение эл ном вакансии, образованной на одном из внутр. у ровней энергии атома, с передачей безызлучат. путём выделенной при этом энергии эл ну другого (вышележащего) уровня и переводом его в возбуждённое состояние …
3Графен — Пожалуйста, актуализируйте данные В этой статье данные предоставлены преимущественно за 2007 2008 гг …
4Нанотехнология — (Nanotechnology) Содержание Содержание 1. Определения и терминология 2. : история возникновения и развития 3. Фундаментальные положения Сканирующая зондовая микроскопия Наноматериалы Наночастицы Самоорганизация наночастиц Проблема образования… …
5РЕНТГЕНОВСКАЯ ОПТИКА — область исследований, в к рой изучаются явления и процессы распространения рентг. излучения при его взаимодействии с веществом, а также разрабатываются элементы для рентг. приборов. При рассмотрении вопросов Р. о. рентг. диапазон условно делят на …
6Получение графена — Основная статья: Графен Существует несколько способов для получения графена, которые можно разделить на три большие группы. К первой группе относятся механические методы получения графена, основной из которых механическое отшелушивание, который… …
7Наноантенна — Рис. 1. Спектральная плотность облучения солнечного света. Красная область показывают плотность облучения на уровне моря. Провалы в ней объясняются поглощением света в атмосфере. Наноантенной называется устройство накопления солнечной энергии,… …
8ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …
9ПРОСВЕТЛЕНИЕ ОПТИКИ — уменьшение отражения коэффициентов поверхностей оптич. деталей путём нанесения на них непоглощающих плёнок, толщина к рых соизмерима с длиной волны оптич. излучения. Без просветляющих плёнок, даже при норм. падении лучей, потери на отражение… …
10Пористый кремний — (por Si или ПК)  кремний, испещренный порами, то есть имеющий пористую структуру. Содержание 1 История 2 Классификация 3 Получение …
