эпитаксиальный метод
11Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …
12Алмаз — [άδάμας (ΰдамас) первоначальное название стали, позднее алмаза) м л, С. Куб. модиф. К лы октаэдрические, куб. и тетраэдрические. Дв. прорастания по {111}; параллельные сростки. Сп. сов. по {111}. Тв. 10. Уд. в.… …
13Дрейфовый транзистор — транзистор, в котором движение носителей заряда вызывается главным образом дрейфовым полем. Это поле создаётся неравномерным распределением примесей в базовой области прибора. Оно ускоряет движение неосновных носителей заряда (см.… …
14Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… …
15эпитаксия жидкофазная — Термин эпитаксия жидкофазная Термин на английском liquid phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры LPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, эпитаксия молекулярно лучевая, метод Определение разновидность эпитаксии как одного из… …
16Осаждение металлорганических соединений из газообразной фазы — Химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (анг. Metalorganic chemical vapour deposition) метод получения материалов, в том числе эпитаксиального роста полупроводников, путём термического разложения… …
17Видлар, Роберт — Роберт Джон Видлар Robert John Widlar Видлар у фотошаблона LM10 В …
- 1
- 2
