шоттки

  • 71СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ — приёмные устройства …

    Физическая энциклопедия

  • 72ЭЛЕКТРОННЫЕ ЛАМПЫ — электровакуумные приборы, в к рых поток свободных электронов, эмитируемых термоэлектронным катодом, движется в высоком вакууме и управляется по плотности и направлению движения с помощью электрич. полей, создаваемых потенциалами на электродах… …

    Физическая энциклопедия

  • 73ДЕФЕКТЫ — в кристаллах (от лат. defectus недостаток, изъян), нарушения полностью упорядоченного расположения частиц (атомов, ионов, молекул), характерного для идеального кристалла. Образуются в процессе роста кристалла из расплава или р ра, а также под… …

    Химическая энциклопедия

  • 74ИМПУЛЬСНЫЙ ДИОД — полупроводниковый диод, предназнач. для работы в импульсном режиме; характеризуется малой длительностью (10 7 10 10 с) переходных процессов при его переключении (изменении полярности подаваемых импульсов). Высокое быстродействие И. д. достигается …

    Большой энциклопедический политехнический словарь

  • 75Планк, Макс — Эта статья  о немецком физике. Другие значения термина в заглавии статьи см. на Планк (значения). Макс Планк Max Planck …

    Википедия

  • 76Транзистор — Дискретные транзисторы в различном конструктивном оформлении …

    Википедия

  • 77Словарь терминов физики полупроводников — Эта страница глоссарий …

    Википедия

  • 78Тетрод — Тетрод  электронная лампа, имеющая 4 электрода: термоэлектронный катод (прямого или косвенного накала), 2 сетки (управляющую и экранирующую) и анод. Изобретён Вальтером Шоттки в 1919. Приёмо усилительные тетроды применялись в радиоприёмных… …

    Википедия

  • 79Электронный микроскоп — (ЭМ)  прибор, позволяющий получать изображение объектов с максимальным увеличением до 106 раз, благодаря использованию, в отличие от оптического микроскопа, вместо светового потока пучка электронов с энер …

    Википедия

  • 80Транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) — Транзистор с высокой подвижностью электронов (ТВПЭ) полевой транзистор, в котором для создания канала вместо легированной области, в отличие от обычных МОП транзисторов, используется контакт двух полупроводниковых материалов с различной шириной… …

    Википедия