свободных носителей
11ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
12Циклотронный резонанс — избирательное поглощение электромагнитной энергии носителями заряда в проводниках, помещенных в магнитное поле при частотах, равных или кратных их циклотронной частоте (См. Циклотронная частота). При Ц. р. наблюдается резкое возрастание… …
13Собственный полупроводник — или полупроводник i типа или нелегированный полупроводник (англ. intrinsic собственный) это чистый полупроводник, содержание посторонних примесей в котором не превышает 10−8 … 10−9%. Концентрация дырок в нём всегда равна концентрации… …
14ЦИКЛОТРОННЫЙ РЕЗОНАНС — избирательное поглощение или отражение электромагн. волн проводниками, помещёнными в постоянное магн. поле, на частотах, равных или кратных циклотронной частоте носителей заряда. В пост. магн. поле Н заряженные ч цы движутся по спиралям, оси… …
15КРИСТАЛЛОАКУСТИКА — изучает особенности распространения акустич. волн в кристаллах, а также влияние анизотропии физ. св в кристаллов па хар ки акустич. волн (особенности их поляризации, поглощения и отражения, дифракции и др.). Анизотропия фазовых скоростей… …
16Электрический разряд — Электрический разряд  процесс протекания электрического тока связанный со значительным увеличением электропроводимости среды относительно его нормального состояния. Увеличение электропроводности обеспечивается наличием дополнительных… …
17ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. ПЛАЗМА ТВЁРДЫХ ТЕЛ). Э. д. ж. образуется, когда концентрация носителей заряда эл нов проводимости и дырок (свободных или связанных в экситоны) превышает… …
18p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …
19Электронно-дырочный переход — (p n переход) область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …
20ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ — (фотовольтаиче ский эффект) возникновение электрич. тока при освещении образца полупроводника или диэлектрика, включённого в замкнутую цепь (фототок), или возникновение эдс на освещаемом образце при разомкнутой внеш. цепи (фо тоэдс). Различают… …
