рост кристалла из раствора

  • 1Дефекты кристалла — Дефектами кристалла называют всякое нарушение трансляционной симметрии кристалла  идеальной периодичности кристаллической решётки. Различают несколько видов дефектов по размерности. А именно, бывают нульмерные (точечные), одномерные… …

    Википедия

  • 2КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р ров, расплавов, из в ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях. Для К. необходимо нарушение термодинамич …

    Физическая энциклопедия

  • 3МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ — МЕТОДЫ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ, технологическая реализация процесса кристаллизации с целью получения монокристаллов и пленок различных веществ. В промышленности и исследовательских лабораториях кристаллы выращивают из паров, растворов, расплавов,… …

    Энциклопедический словарь

  • 4Концентрационное переохлаждение — Концентрационным переохлаждением (КП) называют явление, которое возникает при направленной кристаллизации расплава, содержащего примесь, и заключающееся в том, что в результате перераспределения примеси в расплаве перед фронтом кристаллизации… …

    Википедия

  • 5ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… …

    Физическая энциклопедия

  • 6НИТЕВИДНЫЕ КРИСТАЛЛЫ — микроскопич. монокристаллы, размеры к рых в одном направлении во много раз больше, чем в остальных (типичная длина 1 2 мм, диаметр =1 2 мкм). Обычно Н. к. растут в определ. кристаллографич. направлениях (напр., по нормали к плотноупакованной… …

    Физическая энциклопедия

  • 7Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок)         ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) …

    Большая советская энциклопедия

  • 8Эпитаксия — [epitaxy] ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию), когда они одинаковы. Ориентированный рост… …

    Энциклопедический словарь по металлургии

  • 9Мартенсит —         структура кристаллических твёрдых тел, возникающая в результате сдвигового бездиффузионного полиморфного превращения при охлаждении (см. Мартенситное превращение). Назван по имени немецкого металловеда А. Мартенса (A. Martens; 1850 1914) …

    Большая советская энциклопедия

  • 10Мартенсит — [martensite] 1. Структурная составляющая кристаллических твердых тел, возникающая в результате сдвигового бездиффузионного полиморфного превращения при охлаждении (Смотри мартенситное превращение). Назван по имени немецкого металловеда А.… …

    Энциклопедический словарь по металлургии