жизни дырок
1ВРЕМЯ ЖИЗНИ — 1) средняя продолжительность t существования возбуждённых состояний молекул, атомов, ядер атомных, заканчивающаяся спонтанным (самопроизвольным) их переходом в менее возбуждённое или в осн. состояние; т важная хар ка состояний или уровней энергии …
2Время жизни — в физике, средняя продолжительность τ существования: 1) возбуждённых состояний Атомов и молекул (См. Молекула), заканчивающегося спонтанным (самопроизвольным) переходом частиц в менее возбуждённое или в основное (невозбуждённое)… …
3ТРАНЗИСТОР БИПОЛЯРНЫЙ — (от лат. bi двойной, двоякий и греч. polos ось, полюс) один из осн. элементов полупроводниковой электроники. Создан в 1948 Дж. Бардином (J. Bardeen), У. Браттейном (W. Brattain) и У. Шокли (W. Shockley) (Нобелевская премия по физике, 1956).… …
4ТИРИСТОР — трёхэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из трёх p n переходов, взаимодействие между к рыми приводит к тому, что прибор может находиться в одном из двух устойчивых состояний: выключенном с высоким сопротивлением и включённом с низким.… …
5ПОЛУПРОВОДНИКИ — широкий класс в в, характеризующийся значениями уд. электропроводности s, промежуточными между уд. электропроводностью металлов s=106 104 Ом 1 см 1 и хороших диэлектриков s=10 10 10 12 Ом 1см 1 (электропроводность указана при комнатной темп ре).… …
6Полупроводники — широкий класс веществ, характеризующихся значениями электропроводности σ, промежуточными между электропроводностью металлов (См. Металлы) (σ Полупроводники 106 104 ом 1 см 1) и хороших диэлектриков (См. Диэлектрики) (σ ≤ 10 10 10 12 ом… …
7ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНАЯ ЖИДКОСТЬ — конденсированное состояние неравновесной электронно дырочной плазмы в полупроводниках (см. Плазма твёрдых тел). Существование Э. д. ж. было теоретически предсказано Л. В. Келдышем в 1968. Неравновесная электронно дырочная плазма в… …
8ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
9ФОТОПРОВОДИМОСТЬ — фоторезистивный эффект, увеличение электропроводности полупроводника под действием электромагн. излучения. Впервые Ф. наблюдалась в Se У. Смитом (США) в 1873. Обычно Ф. обусловлена увеличением концентрации подвижных носителей заряда под действием …
10p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… …
