донорных примесей
11легирование — см. Легировать. * * * легирование (нем. legieren сплавлять, от лат. ligo связываю, соединяю), 1) введение в состав металлических сплавов так называемых легирующих элементов (например, в сталь Cr, Ni, Мо, W, V, Nb, Ti и др.) для придания… …
12полупроводники — ов; мн. (ед. полупроводник, а; м.). Физ. Вещества, которые по электропроводности занимают промежуточное место между проводниками и изоляторами. Свойства полупроводников. Производство полупроводников. // Электрические приборы и устройства,… …
13ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ — испускание электронов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те электроны, энергия к рых больше энергии покоящегося вне эмиттера электрона (см. Работа выхода). Число таких электронов (обычно это электроны …
14ПРИМЕСНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ — проводимость полупроводника, при к рой осн. вклад в перенос заряда дают электроны (дырки), термически возбуждённые в зону проводимости (валентную зону) из локализованных в запрещённой зоне донорных (акцепторных) состояний (проводимость n типа и р …
15планарная технология — (от англ. planar плоский), высокопроизводительный метод группового изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем. Основные операции планарной технологии: создание тонкой диэлектрической плёнки на поверхности кристаллического… …
16Планарная технология — совокупность технологических операций, используемая при изготовлении планарных (плоских, поверхностных) полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Содержание 1 Принципы технологии 2 Основные технолог …
17Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …
18ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп р, включающем комнатную темп ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов. Все П. м. можно разбить на неск. групп. 1)… …
19Бахрушин, Владимир Евгеньевич — У этого термина существуют и другие значения, см. Бахрушин. Бахрушин Владимир Евгеньевич Дата рождения: 29 мая 1960 …
20ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — прибор для регистрации ч ц, осн. элементом к рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием… …
