ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР

       
прибор для регистрации ч-ц, осн. элементом к-рого явл. кристалл полупроводника. Регистрируемая ч-ца, проникая в кристалл, генерирует в нём дополнит. (неравновесные) электронно-дырочные пары. Носители заряда (электроны и дырки) под действием приложенного электрич. поля «рассасываются», перемещаясь к электродам П. д. В результате во внеш. цепи П. д. возникает электрич. импульс, к-рый далее усиливается и регистрируется (рис.). Для достижения достаточно высокой чувствительности необходимо, чтобы в отсутствии регистрируемых ч-ц полупроводник был обеднён носителями, т. е. имел миним. электропроводность.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР
Рис. Полупроводниковые детекторы (штриховкой выделена чувствит. область): n — область полупроводника с электронной проводимостью; p — с дырочной; г — с собств. проводимостью; а — кремниевый поверхностно-барьерный детектор; б — планарный диффузионно-дрейфовый германиевый детектор; в — коаксиальный диффузионно-дрейфовый Ge(Li)-детектор.
Это достигается использованием p — n-перехода, на к-рый подают обратное (запирающее) напряжение V. Слой полупроводника вблизи границы p — n-перехода, обеднённый носителями заряда и обладающий высоким уд. электросопротивлением r, явл. чувствит. слоем П. д. Глубина чувствит. слоя W=0,5?rV (W в мкм, r в Ом•см, V в В). Остальная часть кристалла полупроводника образует нечувствительный (мёртвый) слой.
Заряд, собранный на электродах П. д., пропорц. энергии, выделенной ч-цей при прохождении через чувствит. слой. Поэтому, если ч-ца полностью тормозится в нём, П. д. может работать как спектрометр. Ср. энергия, необходимая для образования одной электронно-дырочной пары, в полупроводнике мала (у Si — 3,8 эВ, у Ge — 2,9 эВ). В сочетании с высокой плотностью в-ва это позволяет получить высокую разрешающую способность по энергии D?/?, достигающую =1% при ?=10 кэВ и =0,1% при ?=1000 кэВ. Если ч-ца полностью тормозится в чувствит. слое, то эффективность её регистрации =100%. Большая подвижность носителей тока в Ge и Si позволяет быстро собирать заряд на электродах за время =10-8 с, что обеспечивает высокое временное разрешение П. д.
Высокое энергетич. разрешение П. д. может быть достигнуто лишь при охлаждении детекторов до темп-ры жидкого азота, т. к. из-за малой ширины запрещённой зоны в Si и Ge даже в случае собств. проводимости концентрация свободных носителей при комнатной темп-ре велика. Кроме того, при охлаждении существенно увеличивается подвижность носителей, благодаря чему обеспечивается более полный их сбор на электродах. В связи с этим П. д. обычно размещают в криостатах, в к-рых поддерживается вакуум =10-6 мм рт. ст.
В П. д. используются т. н. поверхностно-барьерные (сплавные) переходы (W=1 — 2 мм, мёртвый слой =0,1 — 2 мкм) и диффузионные переходы. Введение примеси Li в Ge и Si (ионы Li захватывают носители и уменьшают проводимость) увеличивает W для плоских (п л а н а р н ы х) П. д. до 15 мм (диффузионно-дрейфовые П. д., имеющие pin-структуру) и позволяет создавать коаксиальные дрейфовые германиевые П. д. с примесью Li (Ge(Li)) с рабочим объёмом =200 см3 для регистрации жёстких g-квантов (??1МэВ). Из «сверхчистого» Ge (концентрация примесей =10-10 в 1 см3), сопротивление к-рого близко к собственному, также изготавливают планарные П. д. площадью ок. 19 см2 и W»16 мм и коаксиальные П. д. объёмом до 75 см3.
Для обеднения носителями в П. д. используется также предварит. облучение кристалла g-квантами. Образующиеся радиационные дефекты явл. ловушками для носителей (радиационные П. д.). Поверхностно-барьерные и диффузионные кремниевые П. д. обладают миним. толщиной мёртвого слоя (от десятых долей мкм до неск. мкм). Их используют для спектрометрии осколков деления атомных ядер, a-частиц с энергиями ?20 МэВ, протонов с энергиями ?5 МэВ и электронов с энергиями ?200 кэВ. В этом случае пробег ч-ц ещё полностью укладывается в чувствит. слое П. д. Однако П. д. используются также для спектрометрии ч-ц более высоких энергий, когда пробег ч-ц больше глубины обеднённой области. При этом с помощью П. д. определяют удельные ионизац. потери энергии ч-ц или их координаты с пространств. разрешением до 50 мкм (позиционно-чувствительные П. д.).
Для спектрометрии мягкого рентг. излучения обычно используют диффузионно-дрейфовые П. д. из кремния с примесью лития, а также германиевые П. д. Для спектрометрии g-квантов применяют коаксиальные диффузионно-дрейфовые П. д. из Ge(Li) и из сверхчистого Ge. Применяют также полупроводники с большой шириной запрещённой зоны ?g (CdTe с ?g=1,5 эВ и HgI с ?g=2,l эВ). Однако из-за большей ср. энергии образования пары электрондырка их энергетич. разрешение хуже, чем в случае Ge и Si.
В процессе работы в П. д. происходит накопление радиац. дефектов в его чувствит. объёме, в результате чего его спектрометрич. св-ва ухудшаются. Предельные потоки для быстрых нейтронов 1012—1013 см-2, для a-частиц 1010 см-2, для электронов с энергией 2—5 МэВ 1013—1014 см-2, для g-квантов больше 108 рад.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. . 1983.

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР

- детектор частиц, осн. элементом к-рого является p-n -переход. П. д. состоит из слоя полупроводника с нанесёнными на него с обеих сторон металлич. электродами, на к-рые подаётся напряжение. При попадании частицы или g-кванта в полупроводник в нём в результате ионизации образуются неравновесные носители заряда - электроны и дырки, к-рые под воздействием электрич. поля перемещаются к электродам. В результате в электрич. цепи, соединённой с П. д., возникает импульс тока 4005-139.jpg где 4005-140.jpg- заряд, наводимый на электродах. Импульс тока преобразуется в импульс напряжения, амплитуда к-рого пропорциональна энерговыделению 4005-141.jpgчастицы в пол. <упроводнике.

Необходимым условием, обеспечивающим возможность измерения заряда DQ, возникающего в П. д. под действием ионизующей частицы, является малая величина темнового тока 4005-142.jpgпротекающего через П. д. в отсутствие ионизации. Это означает, что полупроводник должен обладать высоким уд. сопротивлением р.

Если флуктуации темнового тока 4005-143.jpgза время собирания носителей 4005-144.jpgсравнимы с числом носителей 4005-145.jpg созданных в объёме П. д. частицей, то выделение полезного сигнала оказывается невозможным. Чем меньше 4005-146.jpgи чем с большей точностью необходимо измерить DQ, тем большим сопротивлением r должен обладать полупроводник. Для измерения энерговыделения 4005-147.jpg= 1 МэВ с точностью 1% необходимо 4005-148.jpg Ом·см.

Число носителей заряда 4005-149.jpg возникающих в П. д. при энерговыделении 4005-150.jpgравно 4005-151.jpg где 4005-152.jpg- энергия, необходимая для образования пары электрон - дырка. Т. к. в полупроводниках 4005-153.jpg3 эВ, а в газах 4005-154.jpg 30 эВ, то в П. д. при том же 4005-155.jpgсоздаётся в 10 раз больше носителей заряда, чем в газовой ионизац. камере. В этом заключается одно из важных преимуществ П. д. перед газовыми детекторами.

Время жизни носителей заряда 4005-156.jpgдолжно превышать время сбора Dt заряда на электроды (иначе сбор будет не полным). В полупроводниках, используемых для П. д., времена жизни свободных электронов и дырок 4005-157.jpg составляют неск. мс, что достаточно для полного сбора носителей. Скорость 4005-158.jpgсбора носителей или время их сбора Dt определяются подвижностью носителей зарядаm и напряжённостью электрич. поля Е:4005-159.jpg В случае однородного электрич. поля 4005-160.jpg где W- толщина чувствит. области. Материал для П. д. не должен содержать большого кол-ва примесных центров, к-рые приводили бы к захвату носителей заряда, образующихся при ионизации.

В природе не существует веществ, к-рые имели бы значения 4005-161.jpgнеобходимые для П. д. Диэлектрики обладают высоким р, но очень малым т, поэтому на их основе возможно создание детекторов лишь с тонкой чувствит. областью. Так, на основе алмазов созданы детекторы с толщиной рабочей области D4005-162.jpg300 мкм. Полупроводники обладают нужными 4005-163.jpgоднако их сопротивление r (даже при высокой степени очистки от примесей) оказывается ниже требуемого для обеспечения малого темнового тока (табл.).

Характеристики некоторых полупроводников, применяемых для полупроводниковых детекторов





4005-164.jpg

4005-165.jpg

Вещество (Т=300 К)

ность, г /см3

4005-166.jpg эВ

4005-167.jpg эВ

электроны

дырки

электроны

дырки

Si

2,33

1,12

3,61

1350

480

2·10-5

2·10-5

Ge (77 К)

5,33

0,79

2,98

3,6·104

4,5·104

2·10-5

2·10-5

CdTe

6,06

1,47

4,43

1000

80

10-6

2·10-7

GaAs

5,32

1,42

4,2

8·103

450

10-6

10-8







10-9

10-9

HgI2

6,4

2, 13

4,2

100

4

10-6

10-6

Необходимые условия реализуются в области р - п-перехода, обеднённой носителями, где р на неск. порядков выше, чем вне перехода. Обычно толщина области р- n-перехода W, обеднённая носителями заряда,- чувствит. область П. д.- мала (4005-168.jpgсм). Практич. значения такой р- га-переход не представляет, т. к. пробеги R заряж. частиц, как правило, существенно больше и в области р - n -перехода выделяется малая часть энергии частицы. Для увеличения W на р- n -переход подают обратное смещение U, к-рое увеличивает размер обеднённой области в соответствии с соотношением 4005-169.jpgгде b- константа, характеризующая полупроводник. Так, для 4005-170.jpg b =0,5, для 4005-171.jpg Ъ= 0,3, для 4005-172.jpg b=1, для 4005-173.jpg b= = 0,65. При этом через р- га-переход течёт темновой ток разл. происхождения: за счёт тепловой генерации электронов и дырок 4005-174.jpgгде 4005-175.jpg- ширина запрещённой зоны в полупроводнике; ток диффузии 4005-176.jpg за счёт неравномерной концентрации носителей:

ток поверхностной утечки 4005-177.jpg Для уменьшения 4005-178.jpg необходимы материалы с достаточно большой 4005-179.jpg (в случае Ge - охлаждение). Для уменьшения 4005-180.jpg4005-181.jpg выбирают спец. геометрию П. д., используют обработку поверхности и разл. покрытия. Наиб. употребит. материалами для П. д. являются Si и Ge.

Типы полупроводниковых детекторов. В зависимости от способа создания p- n -перехода различают поверхностно-барьерные, диффузионные и ионно-легиро-ванные П. д. В поверхностно-барьерных П. д. p - n -переход создаётся нанесением на поверхность полупроводника металла испарением в вакууме (см. Шоттки барьер; рис. 1). При определ. значениях r и U можно обеспечить полное обеднение носителями и получить детекторы с чувствит. областью, равной всей толщине пластинки полупроводника, вплоть до 2-3 мм. Нечувствит. областями в таких детекторах являются переднее и заднее окна, суммарная толщина к-рых может быть доведена до долей мкм.

В диффузионных П. д. переход создаётся диффузией донорных (или акцепторных) атомов в полупроводник с проводимостью р- или n -типов.

4005-182.jpg

Толщина входного окна в диффузионных детекторах существенно больше, чем в поверхностно-барьерных, однако переход менее чувствителен к внеш. условиям.

В ионно-легиров. П. д. переход создаётся внедрением примесных атомов в кристалл при облучении его пучком ионов (см. Ионная имплантация). Обычно внедряется бор в полупроводник n-типа и фосфор в полупроводник р-типа (см. Легирование полупроводников). Толщина входного окна в ионно-легиров. П. д. может достигать величины 4005-183.jpg1 мкм. Для обеспечения высоких характеристик ионно-легиров. П. д. необходим отжиг радиационных дефектов, к-рые возникают при внедрении ионов.

Существ. увеличение обеднённой области в П. д. достигается компенсацией исходного материала до собственной (г) проводимости с помощью дрейфа ионов Li в поле r - re-перехода. На основе pin-диода созданы П. д. с толщиной чувствит. области W =10-15 мм и с объёмом V =100-1504005-184.jpg (рис. 2).

Рис. 2. Конфигурации германиевых детекторов, активированных Li (pin -структура): а - коаксиального, б - планарного.

4005-185.jpg


Из-за относительно высокой подвижности ионов Li в Ge и Si при Т = 304005-186.jpg для литий-дрейфовых П. д. необходима (постоянно) низкая те. <мп-ра, для Ge(Li)-детекторов необходима темп-pa жидкого азота, для Si(Li)-детекторов достаточна Т= (-20)- (-10)4005-187.jpgРазработаны методы очистки Si и Ge до состояния, близкого к собств. проводимости (для Ge разностная концентрация р- и п- примесей составляет 4005-188.jpg На этой основе созданы т. н. HPGe- детекторы (high purity Ge), для к-рых нет необходимости охлаждения во время хранения, но необходимо охлаждение при работе с целью уменьшения шумов.

Преимущества П. д. по сравнению с др. детекторами частиц: пропорциональность сигнала энерговыделению 4005-189.jpg частицы в веществе П. д. в широком диапазоне 4005-190.jpg (неск. порядков), малая толщина входного окна, нечувствительность к магн. полю, высокое энергетич. разрешение за счёт малости 4005-191.jpg компактность и др. Однако реализация этих характеристик требует применения сложных электронных устройств. По назначению П. д. можно подразделить на спектрометрические, временные, координатные.

Спектрометрические полупроводниковые детекторы. Энергетич. разрешение П. д. определяется: статистич. флуктуациями в числе носителей заряда 4005-192.jpgпотерями в собранном заряде за счёт рекомбинации носителей заряда, захвата их ловушками при движении к электродам 4005-193.jpg флуктуациями в потерях энергии во входном окне П. д. d ок; шумами электронных устройств 4005-194.jpg и шумами темнового тока 4005-195.jpgПолное разрешение П. д. по энергии равно:

4005-196.jpg

Компонента 4005-197.jpg связана с механизмом ионизац. потерь и определяет предельное разрешение. П. д. обладает наилучшим разрешением среди детекторов ионизац. типа. Если вся энергия 4005-198.jpg частицы выделяется в объёме П. д., то энергетич. разрешение, определяемое статистич. флуктуациями в числе носителей, 4005-199.jpg= 2,364005-200.jpg где F - т. н. фактор Фано, учитывающий корреляцию в числе носителей. Теоре-тич. оценки дают F =0,09-0,30 для Ge и 0,05-0,02 для Si. Эксперим. значения F для Ge и Si равны 0,134005-201.jpg0,02, при этом есть тенденция к уменьшению F с улучшением качества П. д. и электронных устройств. Спектрометрия b-частиц (электронов и позитронов) с энергиями 4005-202.jpg 1 МэВ, к-рые имеют пробеги в Si R4005-203.jpg1 мм, осуществляется как поверхностно-барьерными П. д., так и Si(Li)-детекторами. В области энергий 4005-204.jpg< 100 кэВ) применение полупроводниковых спектрометров предпочтительнее по сравнению с др. бета-спектрометрами (рис. 3). Особенностью регистрации электронов с энергиями 4005-205.jpg > 100 кэВ является появление в процессах взаимодействия электронов с веществом g-квантов, к-рые могут уйти из объёма П. д. (тормозное излучение). Это приводит к неполному выделению энергии первичного электрона в П. д., к появлению "пьедестала" в регистрируемом спектре и к уменьшению тем самым эффективности регистрации по пику полного поглощения. С увеличением энергии электронов вклад этих процессов растёт, и при энергиях 4005-206.jpg10 МэВ спектрометрия электронов по пику полного поглощения теряет смысл, т. к. торможение электронов в объёме П. д. приводит к образованию ливней.


4005-207.jpg

Для больших 4005-208.jpgвплоть до нсск. сотен МэВ, используются т. н. ливневые спектрометры на основе слоистых систем, включающих слои тяжёлого вещества с высоким ат. номером Z (U, Pb), в к-рых происходит активное размножение электронов и g-кван-тов, и слои, состоящие из кремневых П. д. (в виде мозаики для обеспечения большой площади), в к-рых регистрируются вторичные электроны и g-кванты. Энергетич. разрешение слоистых ливневых спектрометров 4005-209.jpgпропорционально 4005-210.jpg

Спектрометрия л- и К-мезонов, протонов и лёгких ядер для небольших энергий, при к-рых пробеги частиц не превышают неск. мм, осуществляется с помощью Si-детекторов. Для малых 4005-211.jpg пз-за большой величины удельных ионизационных потерь4005-212.jpgсущественна потеря частицей энергии во входном окне П. д. Поэтому здесь предпочтительнее использовать поверхностно-барьерные кремниевые детекторы. Для 4005-213.jpg частиц с 4005-214.jpg=5 МэВ лучшее разрешение, постигнутое с использованием Si, составляет 4005-215.jpg что всё же в 4005-216.jpg раза превышает предельное разрешение, обусловленное статистпч. флуктуацпями в чисте носителей 4005-217.jpg

Для идентификации частиц по массе используется телескоп из двух (или более) П. д.- т. н. система (см. Телескоп счётчиков). Поскольку 4005-218.jpgамплитуда сигнала 4005-219.jpgдетектора пропорциональна 4005-220.jpg

4005-221.jpg то произведение амплитуд от 4005-222.jpg -детекторов оказывается пропорциональным массе m регистрируемой частицы.

Для спектрометрии длинопробежных частиц (с пробегами R >5 мм в Si) применяют как одиночные "толстые" Si- и Ge-детекторы спец. конструкции, так и телескопы "тонких" П. д., имеющих суммарную толщину 4005-223.jpg Применение телескопов предпочтительнее перед одиночным "толстым" П. д., т. к.: 1) возможна идентификация частицы по массе по измеренным 4005-224.jpg в отдельных П. д.; 2) возможен отбор случаев, когда частица испытывает ядерное взаимодействие или рассеяние; 3) лучшие временные характеристики. Однако с увеличением энергии частицы (пробега Я) вероятность ядерного взаимодействия частицы с веществом П. д. растёт, что приводит к появлению "пьедестала" в спектре амплитуд. Предельные энергии, когда ещё применяют телескопы П. д., 4005-225.jpg МэВ (для протонов).

Спектрометрия тяжёлых ядер и осколков деления ядер имеет ту особенность, что в этом случае высока уд. ионизация. Это приводит к более медленному разделению положит, и отрицат. зарядов и, следовательно к большой вероятности рекомбинации зарядов на пути частицы, из-за чего возникает ошибка в определении энергии. Степень рекомбинации существенно зависит от ориентации траектории (трека) относительно элек-трич. поля Е. Ошибка меньше для трека, расположенного перпендикулярно силовым линиям электрнч. поля. Для уменьшения эффекта рекомбинации необходимо увеличивать напряжение U на П. д. При спектрометрии тяжёлых ядер и осколков деления важно также иметь мин. толщину входного окна.

Спектрометрия нейтронов осуществляется либо по протонам отдачп ( в этом случае перед П. д. располагают водородсодержащую мишень), либо путём регистрации продуктов ядерной реакции, происходящей в самом П. д. или в тонком слое нейтронно-чувствит. материала, расположенного между двумя П. д. В последнем случае обычно используются реакции:

4005-226.jpg 4005-227.jpg

(см. нейтронные детекторы).

Для спектрометрии рентгеновских и g-квантов при 4005-228.jpg используются пленарные Si-детекторы. Для 4005-229.jpg> 100 кэВ применяются коаксиальные Ge(Li)-детекторы, а также HPGe -детекторы (до 4005-230.jpg10 МэВ); Ge(Li)-детекторы обладают наилучшим разрешением по энергии: 4005-231.jpg= 1,7 кэВ для 4005-232.jpg= 1 МэВ (рис. 4).


Рис. 4. Зависимость разрешающей способности от энергии g-квантов для С g-спектрометров разных типов.


4005-233.jpg


С ростом 4005-234.jpgсм. рис 5) эффективность регистрации, осуществляемой по пику полного поглощения, падает, т. к. растёт вклад комптоновского фона, что затрудняет выделение слабых линий при исследовании многолинейчатых g-спектров. В качестве гамма-спектрометров используются также П. д. на основе CdTe, GaAs, НgТе. Благодаря большому Z такие детекторы имеют большую эффективность регистрации (чем Ge-детекторы), но худшее энергетич. разрешение (из-за большей величины 4005-235.jpgтабл.). Эти П. д. используются также для регистрации сцинтилляц. излучения вместо фотоэлектронного умножителя в комбинации сцинтил-лятор - фотодиод (см. Сцинтилляционный детектор). Для 4005-236.jpg> 10 МэВ процесс поглощения энергии в П. д. приобретает ливневый характер; вплоть до энергий порядка сотен МэВ для спектрометрии g-квантов используются ливневые спектрометры на основе П. д. с радиаторами с большим 4005-237.jpg

П. д. обладают хорошим временным разрешением, сравнимым в нек-рых случаях с разрешением сцин-тилляц. детекторов. Для пленарных П. д. с W =1 мм время сбора носителей 4005-238.jpg определяющее временное разрешение, порядка 10 нc.


4005-239.jpg


Координатные полупроводниковые детекторы изготовляются на основе Si. В т. н. резистивном П. д. координата c прохождения частицы через П. д. определяется по соотношению амплитуд сигналов ( Е и Ex/l )снимаемых с разных сторон П. д., на одной стороне к-рого нанесена металлич. плёнка, обладающая высокой однородностью по толщине (сопротивлению) Обычно это Аu или Pd (рис. 6). Координатное разрешение составляет доли мм.


4005-240.jpg


В т. н. стриповых (полосковых) детекторах один из электродов выполнен в виде изолиров. полосок. Стриповые П. Д.-одномерные координатные детекторы - обладают координатным разрешением 4005-241.jpg20 мкм определяемым шириной стрипа. В двумерных стрипо-вых П. д. стрипы нанесены с обеих сторон П. д., но во взаимно перпендикулярных направлениях. Стрипо-вые П. д. применяются в качестве т. н. вершинных детекторов для выделения случаев рождения и распада короткоживущих 4006-1.jpgт. н. очарованных

и прелестных частиц и определения их времён жизни и др. характеристик (см. Комбинированные системы детекторов, Элементарные частицы). Дальнейшее развитие привело к созданию т. н. пиксельных детекторов с размером ячейки (пикселя) 304006-2.jpg30 мкм на основе рin -структуры. Для сокращения каналов электроники разработана полупроводниковая дрейфовая камера на основе pnp -структуры (рис. 7). Электрич. поле возрас-

4006-3.jpg

Рис. 7. Дрейфовая камера.

тает с номером стрипа, а крайняя левая полоска служит анодом. На стрипы подаётся отрицат. потенциал - V по отношению к ср. плоскости, так что электроны стягиваются к ней и движутся к аноду. Дырки же будут собираться на электроды вблизи трека частицы. Координата определяется по времени дрейфа электронов от места их возникновения до анода. Координатное разрешение полупроводниковой дрейфовой камеры составляет 104006-4.jpg20 мкм.

П. д. с лавинным усилением заряда имеют внутр. усиление до 4006-5.jpgи обладают лучшими временными характеристиками, чем ПЗС-детекторы. Перспективны координатные П. д. на основе лавинно-пролётных диодов с отрицательной обратной связью.

Радиационная стойкость П. д. зависит от вида, интенсивности и энергии излучения. П. д. могут устойчиво работать без ухудшения характеристик при облучении g-квантами дозой до 4006-6.jpgрад. На неск. порядков более чувствительны П. д. к облучению тяжёлыми за-ряж. частицами, а также медленными нейтронами. Ухудшение энергетич. разрешения возникает при потоке протонов (с энергией 5-10 МэВ) порядка 4006-7.jpg быстрых нейтронов -4006-8.jpgэлектронов (с энергией 2-5 МэВ) -4006-9.jpg

Лит.:Semiconductor detectors, ed. by G.Bertolini, A. Coche, Amst., 1968; Vertex detectors, ed. by F. Villa, N. Y., 1988; Акимов Ю. К., Каланин А. И., Кушнирук В. Ф., Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике, М., 1989; Клайнкнехт К., Детекторы корпускулярных излучений, пер. с нем., М., 1990. Г. А. Сокол.


Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. . 1988.


.

Смотреть что такое "ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР" в других словарях:

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР, полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой электронно дырочный переход на основе кристаллов Ge или Si. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть… …   Современная энциклопедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой p n переход на основе кристаллов Si или Ge. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере.… …   Большой Энциклопедический словарь

  • Полупроводниковый детектор — ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР, полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой электронно дырочный переход на основе кристаллов Ge или Si. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть… …   Иллюстрированный энциклопедический словарь

  • Полупроводниковый детектор —         в ядерной физике, прибор для регистрации ионизирующих излучений (См. Ионизирующие излучения), основным элементом которого является кристалл полупроводника (См. Полупроводники). П. д. работает подобно ионизационной камере (См.… …   Большая советская энциклопедия

  • полупроводниковый детектор — полупроводниковый прибор для регистрации частиц и измерения их энергии. Представляет собой р п переход на основе кристаллов Si или Ge. Величина сигнала в полупроводниковом детекторе может быть значительно больше, чем в ионизационной камере.… …   Энциклопедический словарь

  • полупроводниковый детектор — puslaidininkinis detektorius statusas T sritis Standartizacija ir metrologija apibrėžtis Puslaidininkinis įtaisas elektromagnetinei ar kitokiai spinduliuotei aptikti. atitikmenys: angl. semiconductor detector; semiconductor rectifier vok.… …   Penkiakalbis aiškinamasis metrologijos terminų žodynas

  • полупроводниковый детектор — puslaidininkinis detektorius statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. semiconductor detector vok. Halbleiterdetektor, m rus. полупроводниковый детектор, m pranc. détecteur à semi conducteur, m …   Fizikos terminų žodynas

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — полупроводниковый прибор для регистрации микрочастиц и измерения их энергии. Представляет собой р n переход на основе кристаллов Si или Ge. Величина сигнала в П. д. может быть значительно больше, чем в ионизационной камере. Высокая подвижность… …   Естествознание. Энциклопедический словарь

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР — двухэлектродный полупроводниковый прибор для регистрации и измерения энергии ионизирующих излучений. Обычно содержит р n переход, выполняется на основе кристаллов кремния, германия и др. При подаче на П. д. отрицат. (запирающего) напряжения (10… …   Большой энциклопедический политехнический словарь

  • полупроводниковый детектор ионизирующего излучения — полупроводниковый детектор ППД Детектор ионизирующего излучения, принцип действия которого основан на использовании явлений образования и движения избыточных носителей свободных зарядов или создании радиационных дефектов в полупроводниковом… …   Справочник технического переводчика


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.