(сегнетоэлектрика)
11FRAM — Типы компьютерной памяти Энергозависимая DRAM (в том числе DDR SDRAM) SRAM Перспективные T RAM Z RAM TTRAM Из истории Память на линиях задержки Запоминающая электронстатическая трубка Запоминающая ЭЛТ Энергонезависимая ПЗУ PROM …
12Сегнетоэлектричество — Сегнетоэлектричество  физическое явление, наблюдающееся в некоторых кристаллах, называемых сегнетоэлектриками, в определённом интервале температур и заключающееся в возникновении спонтанной поляризации кристалла даже в отсутствие внешнего… …
13Сегнетоэлектрики — кристаллические Диэлектрики, обладающие в определённом интервале температур спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, которая существенно изменяется под влиянием внешних воздействий. Электрические свойства С. во многом подобны магнитным …
14гистерезис — [тэ; рэ], а; м. [от греч. hysterēsis отставание, запаздывание] Мед. Отставание во времени реакции частей организма от вызывающего её внешнего воздействия. ◁ Гистерезисный, ая, ое. Г ые реакции. * * * гистерезис (от греч. hystérēsis отставание),… …
15ГИСТЕРЕЗИС — (от греч. hysteresis запаздывание) различная реакция физ. тела на нек рые внеш. воздействия в зависимости от того, подвергалось ли это тело ранее тем же воздействиям или подвергается им впервые. Г. объясняется необратимыми изменениями,… …
16коэрцитивная сила — 3.10 коэрцитивная сила (coercivity) (HcM = HcJ): Величина, количественно определяемая как напряженность непрерывно прилагаемого магнитного поля, которое уменьшает намагниченность до нуля от первоначальной максимальной намагниченности, действуя в… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
17СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ — СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ, кристаллы, обладающие в определенном интервале температур самопроизвольной поляризацией, сильно зависящей от внешних воздействий. К сегнетоэлектрикам относятся титанат бария, сегнетова соль и сегнетоэлектрики обладают высокой… …
18ГИСТЕРЕЗИС — (от греч. hysteresis отставание) запаздывание изменения физической величины, характеризующей состояние вещества (намагниченности М ферромагнетика, поляризации P сегнетоэлектрика и т. п.), от изменения другой физической величины, определяющей… …
19Критические явления — характеризуют поведение веществ в окрестности точек фазовых переходов (См. Фазовый переход) К типичным К. я. относятся: рост сжимаемости вещества с приближением к критической точке (См. Критическая точка) равновесия жидкость пар;… …
20Кюри - Вейса закон — температурная зависимость удельной магнитной восприимчивости χ Парамагнетиков, имеющая вид χ = С /(Т Δ), (1) где C и Δ константы вещества (П. Вейс, 1907). Формула (1) достаточно хорошо описывает экспериментальную… …
