Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН


Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
(ИФП СО РАН)
Rzhanov Institute of Semiconductor Physics.jpg
Основан

1964

Директор

Асеев, Александр Леонидович[1]

Сотрудников

1000 (2010)[2]

Расположение

Флаг России Новосибирск

Юридический адрес

630090, Новосибирск, пр. Ак. Лаврентьева, 13

Сайт

http://www.isp.nsc.ru/

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — один из институтов Новосибирского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук. Расположен в Новосибирске. Основан в 1964 году.

Содержание

Общие сведения

Основными направлениями научной деятельности института являются элементная база микроэлектроники, наноэлектроники, квантовых компьютеров, в том числе физико-химические основы технологий микроэлектро¬ники, наноэлектроники, оптоэлектроники, акустоэлектроники, микросенсорики, актуальные направления физики конденсированных сред, в том числе физика полупроводников и диэлектриков, физика низкоразмерных систем, актуальные проблемы оптики, лазерной физики, включая квантовую электронику. [3]

История

Институт был основан в 1964 году на базе объединения Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и Института радиофизики и электроники СО АН СССР (постановление Президиума АН СССР № 49 от 24 апреля 1964 года). В 2003 году к Институту физики полупроводников СО РАН был присоединён в качестве филиала Институт сенсорной микроэлектроники СО РАН (постановление Президиума РАН от 1.07.03 г. № 224). В 2005 году к ИФП СО РАН был присоединен присоединён в качестве филиала Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники (постановление Президиума РАН от 29.11.05 г. № 274). В 2006 году Институту присвоено имя академика А. В. Ржанова (постановление Президиума РАН от 26.12.06 г. № 400).[4]

Директорами института были: [5]

Структура

В состав института входят следующие научные подразделения (более 20 лабораторий, два филиала): [6][7]

  • Отдел роста и структуры полупроводниковых материалов
    • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии элементарных полупроводников и соединений А3В5
    • Лаборатория эллипсометрии полупроводниковых материалов и структур,
  • Отдел физики и технологии полупроводников пониженной размерности, микро- и наноструктур, руководитель отдела академик А. Л. Асеев
    • Лаборатория нанодиагностики и нанолитографии, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н. А. В. Латышев
    • Лаборатория физики и технологии структур на основе полупроводников А3В5
  • Отдел тонкопленочных структур для микро- и фотоэлектроники, руководитель отдела член-корр. РАН, профессор, И. Г. Неизвестный
    • Лаборатория физики и технологии гетероструктур
    • Группа моделирования электронных и технологических процессов микроэлектроники
  • Отдел физики и техники полупроводниковых структур
    • Лаборатория кинетических явлений в полупроводниках
    • Лаборатория молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводниковых соединений А3В5
  • Отдел инфракрасной оптоэлектроники на основе КРТ
    • Лаборатория технологии эпитаксии из молекулярных пучков соединений А2В6,
    • Лаборатория физико-технологических основ создания приборов на основе полупроводников А2В6
  • Научные лаборатории
    • Лаборатория теоретической физики, зав.лаб., член-корр. РАН, профессор А. В. Чаплик
    • Лаборатория разработки принципов построения и архитектуры вычислительных систем для обработки информационных массивов, зав.лаб., член-корр. РАН, профессор, В. Г. Хорошевский
    • Лаборатория физической химии поверхности полупроводников и систем полупроводник-диэлектрик
    • Лаборатория оптических материалов и структур
    • Лаборатория физики и технологии трехмерных наноструктур
    • Лаборатория неравновестных процессов в полупроводниках
    • Лаборатория физических основ материаловедения кремния
    • Лаборатория физических основ интегральной микроэлектроники
    • Лаборатория технологии кремниевой микроэлектроники
    • Лаборатория радиационной стойкости полупроводников и полупроводниковых приборов
    • Лаборатория неравновесных полупроводниковых систем, зав.лаб., член-корр. РАН, д.ф.-м.н., профессор, А. В. Двуреченский
    • Лаборатория лазерной спектроскопии и лазерных технологий
    • Лаборатория нелинейных резонансных процессов и лазерной диагностики
    • Лаборатория мощных газовых лазеров
    • Научно-технологический отдел монокристаллического кремния и кремниевых структур
  • Омский филиал ИФП
    • Лаборатория физики полупроводниковых структур
    • Лаборатория физики полупроводниковых соединений
    • Лаборатория экологического мониторинга
  • Новосибирский филиал ИФП СО РАН «КТИ ПМ»
    • Научно-исследовательский отдел фотохимических технологий
    • Научно-исследовательский отдел тепловидение и телевидения
    • Тематический отдел конструирования оптико-электронных приборов
    • Тематический отдел электронных систем
    • Тематический отдел моделирования оптико-электронных приборов
    • Тематический отдел прикладной оптико-электронной техники и технологий
    • Тематический отдел специального технологического оборудования

Дирекция

См. также

Примечания

Ссылки


Wikimedia Foundation. 2010.

Смотреть что такое "Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН" в других словарях:

  • СО РАН — Официальная эмблема СО РАН В мае 1957 года по инициативе академиков М. А. Лаврентьева, С. Л. Соболева и С. А. Христиановича было образовано Сибирское отделение Академии наук СССР (СО АН СССР), с 1991 года  Сибирское отделение Российской академии… …   Википедия

  • Институты РАН — …   Википедия

  • Сибирское отделение Российской академии наук — (СО РАН)  объединение различных организаций РАН, расположенных в Сибири. Образовано в мае 1957 года по инициативе академиков М. А. Лаврентьева, С. Л. Соболева и С. А. Христиановича под названием Сибирское… …   Википедия

  • Асеев, Александр Леонидович — Александр Леонидович Асеев Дата рождения: 24 сентября 1946 …   Википедия

  • Хорошевский, Виктор Гаврилович — Виктор Гаврилович Хорошевский Дата рождения: 22 августа 1940(1940 08 22) Место рождения: Горно Алтайск, РСФСР, СССР Дата смерти: 6 мая 2012 …   Википедия

  • Совет при Президенте Российской Федерации по науке, технологиям и образованию — Указом Президента Российской Федерации от 8 ноября 2001 г. № 1301 образован Совет при Президенте Российской Федерации по науке и высоким технологиям, утверждены Положение о Совете и его состав. Указом Президента Российской Федерации от 30 августа …   Википедия

  • Новосибирский Академгородок — У этого термина существуют и другие значения, см. Академгородок. Академгородок с высоты птичьего полёта …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.