- DDR4 SDRAM
-
типы DRAM памяти - FPM RAM
- EDO RAM
- Burst EDO RAM
- SDRAM
- DDR SDRAM
- DDR2 SDRAM
- DDR3 SDRAM
- DDR4 SDRAM
- Rambus RAM
- QDR SDRAM
- VRAM
- SGRAM
- GDDR2
- GDDR3
- GDDR4
- GDDR5
DDR4 SDRAM (англ. double-data-rate four synchronous dynamic random access memory) — новый тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущих поколений DDR (DDR, DDR2, DDR3). Отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно во второй половине 2012 года[1]. В январе 2011 года компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В[2][3][4]. Эксперты из аналитического агентства IHS-iSuppli уверены, что доля DDR4 увеличится от 5% в 2013 году до 50% в 2015 году[5].
Содержание
Разработка
JEDEC представила информацию о DDR4 на конференции MemCon в Токио. Судя по слайдам, новинка должна иметь и повышенную частоту (от 2133 до 4266 МГц), и пониженное напряжение (от 1,1 до 1,2 В) по сравнению с предыдущими стандартами, предполагаемый техпроцесс — 32 и 36 нм. Массовое производство намечалось на 2015 год, а первые образцы для создания контроллеров памяти и совместимых платформ — на 2011 год[6]. В январе 2011 компания Samsung впервые представила модуль DDR4. Техпроцесс составил 30 нм, объём памяти 2 Гб, а напряжение 1,2 В[4]. Позднее Hynix представила свой первый модуль DDR4, который превзошёл модуль Samsung по частоте (2400 МГц вместо 2133). Hynix заявила о 80%-м увеличении производительности памяти по сравнению с DDR3-1333. Массовое производство намечено не ранее второй половины 2012 года[1].
В сентябре 2012 года JEDEC опубликовала финальный вариант спецификации DDR4.[7][8]Максимальная пропускная способность
Для расчета максимальной пропускной способности памяти DDR4 необходимо её частоту умножить на 64 бита, то есть размер данных, который может быть передан за 1 такт работы памяти.
- Для памяти с частотой 2133 МГц (наименьшая частота для памяти DDR4) максимальная пропускная способность составит 2133 * 8 = 17 064 Мегабайт/c
- Для памяти с частотой 4266 МГц (наибольшая частота, определённая в стандарте.[9]) максимальная пропускная способность составит 4266 * 8 = 34 128 Мегабайт/c
См. также
Примечания
- ↑ 1 2 Hynix анонсировала чип DRAM DDR4 и модуль памяти на его основе. 3DNews (06.04.2011).
- ↑ Компания Samsung начинает поставки памяти типа DDR4
- ↑ Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
- ↑ 1 2 Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4. 3DNews (04.01.2011).
- ↑ Hynix заканчивает разработку DDR4
- ↑ JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM. 3DNews (19.08.2010).
- ↑ JEDEC Announces Publication of DDR4 Standard | JEDEC
- ↑ Организация JEDEC опубликовала спецификации DDR4 // ixbt.com, 25 Сентября 2012
- ↑ http://www.xbitlabs.com/news/memory/display/20100816124343_Next_Generation_DDR4_Memory_to_Reach_4_266GHz_Report.html "effective clock-speeds for DDR4 memory would be 2133MHz - 4266MHz"
Ссылки
- JEDEC готовит спецификации оперативной памяти DDR4-SDRAM
- Память DDR4: время ли разбрасывать камни?
- Samsung develops DDR4 memory with up to 40 percent better energy efficiency than DDR3
- Samsung показала готовый DRAM-модуль памяти DDR4
Типы динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) Асинхронная FPM RAM · EDO RAM Синхронная SDRAM · DDR SDRAM · Mobile DDR (LPDDR) · DDR2 SDRAM · DDR3 SDRAM · DDR4 SDRAM Графическая VRAM · WRAM · MDRAM · SGRAM · GDDR · GDDR2 · GDDR3 · GDDR4 · GDDR5 Rambus RDRAM · XDR DRAM · XDR2 DRAM Категория:- DRAM
Wikimedia Foundation. 2010.