DDR2 SDRAM

У этого термина существуют и другие значения, см. DDR.

типы DRAM памяти

FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5

DDR2 SDRAM (англ. double-data-rate two synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, второе поколение) — это тип оперативной памяти, используемой в вычислительной технике в качестве оперативной и видеопамяти. Пришла на смену памяти DDR SDRAM.

Описание

Модуль памяти 1 ГБ DDR2-533 с радиатором

Как и DDR SDRAM, DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, как и в обычной SDRAM, можно фактически удвоить скорость передачи данных (например, при работе DDR2 на частоте 100 МГц эквивалентная эффективная частота для SDRAM получается 200 МГц). Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом, чтобы обеспечить необходимый поток данных, передача на шину осуществляется из четырёх мест одновременно. Итоговые задержки оказываются выше, чем для DDR.

Внешнее отличие модулей памяти DDR2 от DDR — 240 контактов (по 120 с каждой стороны)

Микросхемы памяти DDR2 производятся в новом корпусе типа BGA (FBGA).
Напряжение питания микросхем: 1,8 В
Потребляемая мощность: 247 мВт
Интерфейс ввода-вывода: SSTL_18
Burst Length: 4/8
Prefetch Size: 4-bit
Новые функции: ODT, OCD Calibration, Posted CAS, AL (Additive Latency)

Совместимость

DDR2 не является обратно совместимой с DDR, поэтому ключ на модулях DDR2 расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний (или первый), невозможно.
Существуют переходники для установки модулей DDR2 в слоты DDR^[1], но их можно рассматривать скорее как технологический курьез. Дело в том, что для функционирования такого переходника необходим контроллер памяти, обладающий способностью работать как с памятью типа DDR, так и DDR2 — например, Intel 915 Express.

Технические стандарты

Микросхемы

Тип чипа	Частота памяти	Частота шины	Эффективная частота
DDR2-400	100 МГц	200 МГц	400 МГц
DDR2-533	133 МГц	266 МГц	533 МГц
DDR2-667	166 МГц	333 МГц	667 МГц
DDR2-800	200 МГц	400 МГц	800 МГц
DDR2-1066	266 МГц	533 МГц	1066 МГц

Модули

Для использования в ПК, DDR2 RAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами и одним ключом (прорезью в полосе контактов). DIMM’ы различаются по максимальной скорости передачи данных (часто называемой пропускной способностью)

Название модуля	Частота шины	Тип	Пиковая скорость передачи данных
PC2-3200	200 МГц	DDR2-400	3200 МБ/с или 3,2 ГБ/с
PC2-4200	266 МГц	DDR2-533	4200 МБ/с или 4,2 ГБ/с
PC2-5300	333 МГц	DDR2-667	5300 МБ/с или 5,3 ГБ/с1
PC2-5400	337 МГц	DDR2-675	5400 МБ/с или 5,4 ГБ/с
PC2-5600	350 МГц	DDR2-700	5600 МБ/с или 5,6 ГБ/с
PC2-5700	355 МГц	DDR2-711	5700 МБ/с или 5,7 ГБ/с
PC2-6000	375 МГц	DDR2-750	6000 МБ/с или 6,0 ГБ/с
PC2-6400	400 МГц	DDR2-800	6400 МБ/с или 6,4 ГБ/с
PC2-7100	444 МГц	DDR2-888	7100 МБ/с или 7,1 ГБ/с
PC2-7200	450 МГц	DDR2-900	7200 МБ/с или 7,2 ГБ/с
PC2-8000	500 МГц	DDR2-1000	8000 МБ/с или 8,0 ГБ/с
PC2-8500	533 МГц	DDR2-1066	8500 МБ/с или 8,5 ГБ/с
PC2-9200	575 МГц	DDR2-1150	9200 МБ/с или 9,2 ГБ/с
PC2-9600	600 МГц	DDR2-1200	9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с

Быстрейшей серийно выпускаемой памятью DDR2 является Team Xtreem PC2-10400, которая, однако, имеет большие задержки — 6-6-6-х и повышенное напряжение питания — 2.35-2.45 В. Для таймингов 5-5-5-х, по-видимому, быстрейшими серийными модулями являются PC2-9600, а для 4-4-4-х — PC2-8888 производства Corsair и Geil Ultra Plus PC2-9280. Существуют также модули с наименьшими задержками, CL3, со значительно меньшей скоростью работы. Самыми быстрыми из них являются PC2-6400^[2].

Помимо разделения по пропускной способности и ёмкости, модули делятся по:

• наличию дополнительного чипа памяти для кода коррекции ошибок. Обозначаются символами ECC, например, так: PC2-6400 ECC;
• наличию специализированной микросхемы адресации — register.
  «Обычные» модули обозначаются как «non-registered» или «unbuffered». Регистр в буферированных — «registered» — модулях улучшает качество сигнала командно-адресных линий (ценой дополнительного такта задержки при обращении), что позволяет поднять частоты и использовать до 36 микросхем памяти на модуль, создавая модули повышенной емкости, которые обычно применяются в серверах и рабочих станциях. Практически все выпускающиеся сейчас модули DDR2 Reg также оснащены ECC.
• наличию микросхемы AMB (Advanced Memory Buffer). Такие модули называются полностью буферированными (fully buffered), обозначаются буквами F или FB и имеют другое расположение ключа на модуле. Это дальнейшее развитие идеи registered модулей — Advanced Memory Buffer осуществляет буферизацию не только сигналов адреса, но и данных, и использует последовательную шину к контроллеру памяти вместо параллельной. Эти модули нельзя устанавливать в материнские платы, разработанные для других типов памяти, и положение ключа этому препятствует.
  

Как правило, даже если материнская плата поддерживает registered и unbuffered (обычная память) модули, модули разных типов (registered и unbuffered) не могут работать совместно на одном канале. Несмотря на механическую совместимость разъёмов, Registered память просто не запустится в материнской плате, рассчитанной на применение обычной (небуферизованной) памяти и наоборот. Наличие/отсутствие ECC никоим образом не влияет на ситуацию. Всё это касается как обычной DDR, так и DDR-II.

Категорически невозможно использовать Registered память вместо обычной памяти и наоборот. Без всяких исключений. Единственным исключением в настоящее время являются двухпроцессорные LGA1366 платы, которые работают как с обычной, так и с Registered DDR-III, однако смешивать в одной системе два типа памяти нельзя.

Преимущества по сравнению с DDR

• Более высокая полоса пропускания
• Как правило, меньшее энергопотребление
• Улучшенная конструкция, способствующая охлаждению

Недостатки по сравнению с DDR

• Обычно более высокая CAS-латентность (от 3 до 6)
• Итоговые задержки при одинаковых (или даже более высоких) частотах оказываются выше

---

DDR2 постепенно вытесняется DDR3.

См. также

• DDR3 SDRAM
• DDR4 SDRAM

Литература

В. Соломенчук, П. Соломенчук Железо ПК. — 2008. — ISBN 978-5-94157-711-8

Примечания

1. ↑ Переходник DDR-DDR2
2. ↑ OCZ PC2-6400 CL3

Ссылки

• DDR2 Memory Overview

Для улучшения этой статьи желательно?: Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное.