Ионное легирование

Ионное легирование

Ионное легирование — это технологическая операция введения примесей в поверхностный слой пластины или эпитаксиальной пленки путем бомбардировки ионами примесей.

Идея использования ионного пучка для легирования полупроводников (в частности, кремния) проста. Разогнанные электрическим полем, обладающие значитальной энергией ионы элементов, используемых обычно для создания примесной проводимости, внедряясь в кристалл полупроводника занимают в его решетке положение атомов замещения и создают соответствующий тип проводимости. Внедряя ионы III и IV групп в монокристалл кремния, можно получить p-n переход в любом месте и на любой прощади кристалла.

Основными блоками ионно-лучевой установки являются источник ионов, ионный ускоритель, магнитный сепаратор, система сканирования пучком ионов, мишень (пластина кремния).

Ионное легирование широко используется при создании БИС и СБИС. По сравнению с диффузией оно позволяет создавать слои с субмикронными горизонтальными размерами толщиной менее 0,1 мкм с высокой воспроизводимостью параметров.