отражательная электронная микроскопия

Термин

отражательная электронная микроскопия

Термин на английском

reflection electron microscopy

Синонимы

Аббревиатуры

REM, ОЭМ

Связанные термины

микроскопия, электронный микроскоп

Определение

разновидность микроскопии, в которой для формирования изображения поверхности используются рассеянные высокоэнергетические электроны, падающие на поверхность под скользящими углами.

Описание

Если вокруг образца поддерживаются сверхвысоковакуумные условия, то отражательная электронная микроскопия может быть использована для изучения процессов на поверхности. Ее достоинства заключаются в способности различать атомные ступени, а также области с различной реконструкцией при использовании дифракционного контраста.

Упруго рассеянные электроны формируют картину дифракции на задней фокальной плоскости объективной линзы, где один или несколько дифракционных рефлексов вырезаются апертурной диафрагмой. Увеличенное изображение проецируется на экран микроскопа.

Одна из особенностей отражательного электронного микроскопа — различие увеличений в различных направлениях вдоль плоскости объекта - связана с наклонным положением объекта по отношению к оптической оси микроскопа. Вследствие этого увеличение такого микроскопа характеризуют обычно двумя величинами: увеличением в плоскости падения пучка электронов и увеличением в плоскости, перпендикулярной плоскости падения.

В результате перспективного типа изображения только центральная часть изображения находится в фокусе, в то время как верхняя и нижняя части перефокусированы и недофокусированы, соответственно. Другое следствие изображения в перспективе - это более слабое разрешение вдоль направления пучка. Практически на электронных микроскопах такого типа достигнуто разрешение порядка 100 ангстрем.

Авторы

• Вересов Александр Генрихович, к.х.н.
• Саранин Александр Александрович, д.ф.-м.н.

Ссылки

1. Handbook of microscopy for nanotechnology / edited by Nan Yao, Zhong Lin Wang. - Kluwer Academic Publishers, 2005 - 731 p.
2. К. Оура, В. Г. Лифшиц, А. А. Саранин, А. В. Зотов, М. Катаяма, Введение в физику поверхности, М.: Наука, 2006, 496 с.

Иллюстрации

(а) и (б) - Изображения в отражательном электронном микроскопе поверхности Si(100)2?1, которая демонстрирует смену преимущественного типа доменов с 1?2 на рис. 1 (а) на 2?1 на рис. 1 (б) при смене направления тока через образец. Вертикальными стрелками показано начальное и конечное положение ступеней. (в) - Схематическая иллюстрация процесса перехода. Указана ориентация димеров Si-Si на террасе, которая определяет тип реконструкции: 2?1 или 1?2. Дифракционный контраст, по которому можно отличить области с разной реконструкцией, достигается вырезанием соответствующих рефлексов на картине дифракции быстрых электронов с помощью апертурной диафрагмы.

Теги

Разделы

Методы диагностики и исследования наноструктур и наноматериалов

(Источник: «Словарь основных нанотехнологических терминов РОСНАНО»)