- ion-implanted transistor
-
транзистор, изготовленный методом ионной имплантации, ионно-имплантированный транзистор
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
ion-implanted base transistor — tranzistorius su jonais implantuota baze statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted field-effect transistor — jonais implantuotas lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted field effect transistor vok. ionenimplantierter Feldeffekt transistor, m rus. ионно имплантированный полевой транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Transistor mit ionenimplantierter Basis — tranzistorius su jonais implantuota baze statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à base d'implantation ionique — tranzistorius su jonais implantuota baze statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à… … Radioelektronikos terminų žodynas
transistor à effet de champ à implantation ionique — jonais implantuotas lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted field effect transistor vok. ionenimplantierter Feldeffekt transistor, m rus. ионно имплантированный полевой транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ionenimplantierter Feldeffekt-transistor — jonais implantuotas lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted field effect transistor vok. ionenimplantierter Feldeffekt transistor, m rus. ионно имплантированный полевой транзистор, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
Focused ion beam — Focused ion beam, also known as FIB, is a technique used particularly in the semiconductor and materials science fields for site specific analysis, deposition, and ablation of materials. The FIB is a scientific instrument that resembles a… … Wikipedia
Semiconductor device modeling — creates models for the behavior of the electrical devices based on fundamental physics, such as the doping profiles of the devices. It may also include the creation of compact models (such as the well known SPICE transistor models), which try to… … Wikipedia
Technology CAD — (or Technology Computer Aided Design, or TCAD) is a branch of electronic design automation that models semiconductor fabrication and semiconductor device operation. The modeling of the fabrication is termed Process TCAD, while the modeling of the … Wikipedia
tranzistorius su jonais implantuota baze — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à base d implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
транзистор с ионно-имплантированной базой — tranzistorius su jonais implantuota baze statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted base transistor vok. Transistor mit ionenimplantierter Basis, m rus. транзистор с ионно имплантированной базой, m pranc. transistor à… … Radioelektronikos terminų žodynas