- ion-implanted structure
-
структура, формируемая методом ионной имплантации, ионно-имплантированная структура
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
ion-implanted structure
Смотреть что такое "ion-implanted structure" в других словарях:
ion-implanted MOS structure — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ion-implanted MOS — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… … Wikipedia
Vertical-cavity surface-emitting laser — The vertical cavity surface emitting laser (VCSEL; [v ɪxl] ) is a type of semiconductor laser diode with laser beam emission perpendicular from the top surface, contrary to conventional edge emitting semiconductor lasers (also in plane lasers)… … Wikipedia
circuit MOS à implantation ionique — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
ionenimplantierter MOS-Schaltkreis — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
jonais implantuotas MOP darinys — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à implantation ionique, m … Radioelektronikos terminų žodynas
ионно-имплантированная МОП-структура — jonais implantuotas MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. ion implanted MOS; ion implanted MOS structure vok. ionenimplantierter MOS Schaltkreis, m rus. ионно имплантированная МОП структура, f pranc. circuit MOS à… … Radioelektronikos terminų žodynas
Avalanche photodiode — Avalanche photodiodes (APDs) are photodetectors that can be regarded as the semiconductor analog to photomultipliers. By applying a high reverse bias voltage (typically 100 200 V in silicon), APDs show an internal current gain effect (around 100) … Wikipedia
Fotodiodo de avalancha — Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en inversa (típicamente 100 200 V en silicio), los APD muestran un efecto… … Wikipedia Español
Лавинный фотодиод — Структура лавинного фотодиода на основе кремния: 1 омические контакты, 2 антиотражающее покрытие Лавинные фотодиоды (ЛФД; англ. avalanche photodiode APD) высокочувствительные полупроводниковые приборы, преобразующие… … Википедия
