- туннелирование носителей
-
carrier tunneling
Англо-русский словарь технических терминов. 2005.
туннелирование носителей
Смотреть что такое "туннелирование носителей" в других словарях:
туннелирование — Термин туннелирование Термин на английском tunneling Синонимы Аббревиатуры Связанные термины криохимия, эффект Джозефсона Определение Проявление туннельного эффекта, когда частица, первоначально локализованная по одну сторону потенциального… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Квантовое туннелирование — Квантовая механика Принцип неопределённости Введение ... Математическая формулировка ... Основа … Википедия
Туннельный эффект — Квантовая механика … Википедия
КВАНТОВЫЙ ХОЛЛА ЭФФЕКТ — макроскопич. квантовый эффект, проявляющийся в квантовании холловского сопротивления r ху (см. Холла эффект )и исчезновении уд. сопротивления r хх. К. X. э. наблюдается при низких темп pax Т в инверсионном слое носителей заряда в полупроводниках … Физическая энциклопедия
Омический контакт — контакт между металлом и полупроводником или двумя полупроводниками, характеризующийся линейной симметричной вольт амперной характеристикой (ВАХ). Если ВАХ является асимметричной и нелинейной, контакт является не омическим а выпрямляющим,… … Википедия
Наноэлектроника — Наноэлектроника область электроники, занимающаяся разработкой физических и технологических основ создания интегральных электронных схем с характерными топологическими размерами элементов менее 100 нанометров. Термин «наноэлектроника»… … Википедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
Р — n-переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
Электронно-дырочный переход — p n переход (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости … Википедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
