ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ

       
(туннелирование), преодоление микрочастицей потенциального барьера в случае, когда её полная энергия (остающаяся при Т. э. большей частью неизменной) меньше высоты барьера. Т. э.— явление существенно квант. природы, невозможное в классич. механике; аналогом Т. э. в волн. оптике может служить проникновение световой волны внутрь отражающей среды (на расстояния порядка длины световой волны) в условиях, когда с точки зрения геом. оптики происходит полное внутреннее отражение. Т. э. лежит в основе мн. важных процессов в ат. и мол. физике, в физике ат. ядра, тв. тела и т. д.
Т. э. интерпретируется на основе неопределённостей соотношения (см. КВАНТОВАЯ МЕХАНИКА). Классич. ч-ца не может находиться внутри потенц. барьера высоты V, если её энергия ?импульс р — мнимой величиной (m — масса ч-цы). Однако для микрочастицы этот вывод несправедлив: вследствие соотношения неопределённостей фиксация ч-цы в пространств. области внутри барьера делает неопределённым её импульс. Поэтому имеется отличная от нуля вероятность обнаружить микрочастицу внутри запрещённой с точки зрения классич. механики области. Соответственно появляется определ. вероятность прохождения ч-цы сквозь потенц. барьер, что и отвечает Т. э. Эта вероятность тем больше, чем меньше масса ч-цы, чем уже потенц. барьер и чем меньше энергии недостаёт ч-це, чтобы достичь высоты барьера (чем меньше разность V-?). Вероятность прохождения сквозь барьер — гл. фактор, определяющий физ. хар-ки Т. э. В случае одномерного потенц. барьера такой хар-кой служит коэфф. прозрачности барьера, равный отношению потока прошедших сквозь него ч-ц к падающему на барьер потоку. В случае трёхмерного барьера, ограничивающего замкнутую область пр-ва с пониж. потенц. энергией (потенциальную яму), Т. э. характеризуется вероятностью w выхода ч-цы из этой области в ед. времени; величина w равна произведению частоты колебаний ч-цы внутри потенц. ямы на вероятность прохождения сквозь барьер. Возможность «просачивания» наружу ч-цы, первоначально находившейся в потенц. яме, приводит к тому, что соответствующие уровни энергии ч-ц приобретают конечную ширину порядка ћw, а сами эти состояния становятся квазистационарными.
Примером проявления Т. э. в ат. физике могут служить автоионизация атома в сильном электрич. поле и ионизация атома в поле сильной эл.-магн. волны. Т. э. лежит в основе альфа-распада радиоактивных ядер. Без Т. э. было бы невозможно протекание термоядерных реакций: кулоновский потенц. барьер, препятствующий необходимому для синтеза сближению ядер-реагентов, преодолевается частично благодаря высокой скорости (высокой темп-ре) таких ядер, а частично благодаря Т. э. Особенно многочисленны примеры проявления Т. э. в физике тв. тела: автоэлектронная эмиссия, явления в контактном слое на границе двух ПП, Джозефсона эффект и т. д.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. . 1983.

ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ

(туннелирование) - квантовый переход системы через область движения, запрещённую классич. механикой. Типичный пример такого процесса- прохождение частицы через потенциальный барьер, когда её энергия 5033-19.jpg меньше высоты барьера. Импульс частицы р в этом случае, определяемый из соотношения 5033-20.jpg где U(x)- потенц. энергия частицы ( т - масса), был бы в области внутри барьера,5033-21.jpg мнимой величиной. В квантовой механике благодаря неопределённостей соотношению между импульсом и координатой подбарьерное движение оказывается возможным. Волновая ф-ция частицы в этой области экспоненциально затухает, и в квазиклассич. случае (см. Квазиклассическое приближение )её амплитуда в точке выхода из-под барьера мала.

Одна из постановок задач о прохождении потенц. барьера соответствует случаю, когда на барьер падает стационарный поток частиц и требуется найти величину прошедшего потока. Для таких задач вводится коэф. прозрачности барьера (коэф. туннельного перехода) D, равный отношению интенсивностей прошедшего и падающего потоков. Из обратимости по времени следует, что коэф. прозрачности для переходов в "прямом" и обратном направлениях одинаковы. В одномерном случае коэф. прозрачности может быть записан в виде

5033-22.jpg

интегрирование проводится по классически недоступной области, х1,2 - точки поворота, определяемые из условия 5033-23.jpg В точках поворота в пределе классич. механики импульс частицы обращается в нуль. Коэф. D0 требует для своего определения точного решения кван-тово-механич. задачи.

При выполнении условия квазиклассичности

5033-24.jpg

на всём протяжении барьера, за исключением непосредств. окрестностей точек поворота x1,2. коэф. D0 слабо отличается от единицы. Существ. отличие D0 от единицы может быть, напр., в тех случаях, когда кривая потенц. энергии с одной из сторон барьера идёт настолько круто, что квазиклассич. приближение там неприменимо, или когда энергия близка к высоте барьера (т. е. выражение, стоящее в экспоненте, мало). Для прямоугольного барьера высотой U о и шириной а коэф. прозрачности определяется ф-лой
где 5033-25.jpg

Основание барьера соответствует нулевой энергии. В квазиклассич. случае D мал по сравнению с единицей.

Др. постановка задачи о прохождении частицы через барьер состоит в следующем. Пусть частица в нач. момент времени находится в состоянии, близком к т. н. стационарному состоянию, к-рое получилось бы при непроницаемом барьере (напр., при барьере, приподнятом вдали от потенциальной ямы на высоту, большую энергии вылетающей частицы). Такое состояние наз. квазистационарным. Аналогично стационарным состояниям зависимость волновой ф-ции частицы от времени даётся в этом случае множителем 5033-26.jpg В качестве энергии здесь фигурирует комплексная величина Е, мнимая часть к-рой определяет вероятность распада квазистационарного состояния в единицу времени за счёт Т. э.:

5033-27.jpg

В квазиклассич. приближении вероятность, даваемая ф-лой (3), содержит экспоненц. множитель того же типа, что и в-ф-ле (1). В случае сферически симметричного потенц. барьера вероятность распада квазистационарного состояния с орбит. квантовым числом l определяется ф-лой

5033-28.jpg

Здесь r1,2 -радиальные точки поворота, подынтегральное выражение в к-рых равно нулю. Множитель w0 зависит от характера движения в классически разрешённой части потенциала, напр. он пропорц. классич. частоте колебаний частицы между стенками барьера.

Т. э. позволяет понять механизм a-распада тяжёлых ядер. Между 5033-29.jpg -частицей и дочерним ядром действует элек-тростатич. отталкивание, определяемое ф-лой 5033-30.jpg На малых расстояниях порядка размера а ядра ядерные силы таковы, что эфф. потенциал можно считать отрицательным: 5033-31.jpg В результате вероятность а -распада даётся соотношением

5033-32.jpg

Здесь 5033-33.jpg -энергия вылетающей a-частицы.

Т. э. обусловливает возможность протекания термоядерных реакций на Солнце и звёздах при темп-ре в десятки и сотни млн. градусов (см. Эволюция звёзд), а также в земных условиях в виде термоядерных взрывов или УТС.

В симметричном потенциале, состоящем из двух одинаковых ям, разделённых слабопроницаемым барьером, Т. э. приводит к интерференции состояний в ямах, что приводит к слабому двойному расщеплению дискретных уровней энергии (т. н. инверсионное расщепление; см. Молекулярные спектры). Для бесконечного периодичного в пространстве набора ям каждый уровень превращается в зону энергий. Таков механизм образования узких электронных энергетич. зон в кристаллах с сильной связью электронов с узлами решётки.

Если к полупроводниковому кристаллу приложено элек-трич. поле, то зоны разрешённых энергий электронов становятся наклонными в пространстве. Тем самым уровень пост. энергии электрона пересекает все зоны. В этих условиях становится возможным переход электрона из одной энергетич. зоны в другую за счёт Т. э. Классически недоступной областью при этом является зона запрещённых энергий. Это явление наз. пробоем Зинера. Квазиклассич. приближение отвечает здесь малой величине напряжённости электрич. поля. В этом пределе вероятность пробоя Зинера определяется в осн. экспонентой, в показателе к-рой стоит большая отрицат. величина, пропорциональная отношению ширины запрещённой энергетич. зоны к энергии, набираемой электроном в приложенном поле на расстоянии, равном размеру элементарной ячейки.

Похожий эффект проявляется в туннельных диодах, в к-рых зоны наклонены благодаря полупроводникам р- и n -типа по обе стороны от границы их соприкосновения. Туннелирование осуществляется благодаря тому, что в зоне, куда переходит носитель заряда, имеется конечная плотность незанятых состояний.

Благодаря Т. э. возможен электрич. ток между двумя металлами, разделёнными тонкой диэлектрич. перегородкой. Эти металлы могут находиться как в нормальном, так и в сверхпроводящем состоянии. В последнем случае может иметь место Джозефсона эффект.

Т. э. обязаны такие явления, происходящие в сильных электрич. полях, как автоионизация атомов (см. Ионизация полемавтоэлектронная эмиссия из металлов. В обоих случаях электрич. поле образует барьер конечной прозрачности. Чем сильнее электрич. поле, тем прозрачнее барьер и тем сильнее электронный ток из металла. На этом принципе основан сканирующий туннельный микроскоп - прибор, измеряющий туннельный ток из разных точек исследуемой поверхности и дающий информацию о характере её неоднородности.

Т. э. возможен не только в квантовых системах, состоящих из одной частицы. Так, напр., низкотемпературное движение дислокаций в кристаллах может быть связано с туннелированием конечной части дислокации, состоящей из многих частиц. В такого рода задачах линейную дислокацию можно представить как упругую струну, лежащую первоначально вдоль оси у в одном из локальных минимумов потенциала V(x, у). Этот потенциал не зависит от у, а его рельеф вдоль оси х представляет собой последовательность локальных минимумов, каждый из к-рых находится ниже другого на величину, зависящую от приложенного к кристаллу механич. напряжения. Движение дислокации под действием этого напряжения сводится к туннелированию в соседний минимум определ. отрезка дислокации с последующим подтягиванием туда оставшейся её части. Такого же рода туннельный механизм может отвечать за движение волн зарядовой плотности в диэлектрике Пайерлса (см. Пайерлса переход).

Для расчётов эффектов туннелирования таких многоразмерных квантовых систем удобно использовать квазиклассич. представление волновой ф-ции в виде 5033-34.jpg где S- классич. действие системы. Для Т. э. существенна мнимая часть S, определяющая затухание волновой ф-ции в классически недоступной области. Для её вычисления используется метод комплексных траекторий.

Квантовая частица, преодолевающая потенц. барьер, может быть связана с термостатом. В классич. механике это соответствует движению с трением. Тем самым, для описания туннелирования необходимо привлечение теории, получившей назв. диссипативной квантовой механики. Такого рода соображения необходимо использовать для объяснения конечного времени жизни токовых состояний контактов Джозефсона. В этом случае происходит туннелирование эфф. квантовой частицы через барьер, а роль термостата играют нормальные электроны.

Лит.: Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М., Квантовая механика, 4 изд., М., 1989; Займан Дж., Принципы теории твердого тела, пер. с англ., 2 изд., М., 1974; Базь А. И., Зельдович Я. Б., Переломов А. М., Рассеяние, реакции и распады в нерелятивистской квантовой механике, 2 изд., М., 1971; Туннельные явления в твердых телах, пер. с англ., М., 1973; Лихарев К. К., Введение в динамику джозефсоновских переходов, М., 1985. Б. И. Ивлев.

Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. . 1988.


.

Игры ⚽ Нужно решить контрольную?

Полезное


Смотреть что такое "ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ" в других словарях:

  • ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ — ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ, прохождение через потенциальный барьер микрочастицы, энергия которой меньше высоты барьера; квантовый эффект, наглядно объясняемый разбросом импульсов (и энергий) частицы в области барьера (вследствие неопределенности принципа) …   Современная энциклопедия

  • ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ — прохождение через потенциальный барьер микрочастицы, энергия которой меньше высоты барьера; квантовый эффект, наглядно объясняемый разбросом импульсов (и энергий) частицы в области барьера (см. Неопределенности принцип). В результате туннельного… …   Большой Энциклопедический словарь

  • Туннельный эффект — ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ, прохождение через потенциальный барьер микрочастицы, энергия которой меньше высоты барьера; квантовый эффект, наглядно объясняемый разбросом импульсов (и энергий) частицы в области барьера (вследствие неопределенности принципа) …   Иллюстрированный энциклопедический словарь

  • туннельный эффект — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN tunnel effect …   Справочник технического переводчика

  • ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ — (туннелирование) квантово механическое явление, заключающееся в преодолении микрочастицей потенциального (см.), когда её полная энергия меньше высоты барьера. Т. э. обусловлен волновыми свойствами микрочастиц и влияет на течение термоядерных… …   Большая политехническая энциклопедия

  • Туннельный эффект —     Квантовая механика …   Википедия

  • туннельный эффект — прохождение через потенциальный барьер микрочастицы, энергия которой меньше высоты барьера; квантовый эффект, наглядно объясняемый разбросом импульсов (и энергий) частицы в области барьера (см. Неопределённости принцип). В результате туннельного… …   Энциклопедический словарь

  • Туннельный эффект — (от англ. tunnel) явление в микромире, в простейшем варианте состоит в том, что частица (микрообъект), первоначально локализованная по одну сторону потенциального барьера (области, где ее полная энергия меньше величины потенциального барьера и… …   Начала современного естествознания

  • туннельный эффект — tunelinis reiškinys statusas T sritis automatika atitikmenys: angl. Esaki effect; tunnel effect; tunnelling phenomenon vok. Esaki Effekt, m; Tunneleffekt, m rus. туннельный эффект, m pranc. effet tunnel, m …   Automatikos terminų žodynas

  • туннельный эффект — tunelinis efektas statusas T sritis chemija apibrėžtis Kvantinės mikrodalelės, kurios energija mažesnė už potencinio barjero aukštį, prasiskverbimas pro potencinį barjerą. atitikmenys: angl. tunnel effect rus. туннельный эффект …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»