- ПОДВИЖНОСТЬ
- ПОДВИЖНОСТЬ
-
НОСИТЕЛЕЙЗАРЯДА в электронных Проводниках - отношение скорости направленного движения носителей заряда - электронов проводимости и дырок (дрейфовой скорости v др), вызванного электрич. полем, к напряжённости Е этого поля:
Дрейфовая скорость и, следовательно, П. <н. з. ограничиваются процессами их рассеяния, к-рое происходит на дефектахкристаллич. решётки (гл. обр. на примесных атомах), а также на тепловых колебанияхкристаллической решётки (испуская или поглощая фонон, электронизменяет свой квазиимпульс, а следовательно и скорость v др).Поэтому П. н. з. зависит от темп-ры Т. С понижением Т доминирующимстановится рассеяние на заряж. дефектах, вероятность к-рого растёт с уменьшениемэнергии носителей.
Ср. дрейфовая скорость
где т - эффективная масса носителей, е- их заряд,
- время релаксации импульса (транспортное время). Отсюда:
Проводимость кристалла
связана с П. н. з. соотношением 
где п - концентрация носителей. <Понятие П. н. з. играет важную роль при описании свойств полупроводников илидр. проводников, в к-рых n зависит от Т, т. к. позволяетразделить вклады в температурной зависимости
возникающие из изменения п с темп-рой, и температурной зависимостивероятности рассеяния носителей заряда.
П. н. з. при Т -300 К варьируетсяв пределах от 105 до 10-3 см 2/В х с. Вслабом электрнч. поле подвижность
различны, а в анизотропных кристаллах 
зависит от направления поля Е относительно кристаллографич. осей. <В сильных электрич. полях ср. энергия электронов 
превышает равновесную и растёт с ростом поля Е. При этом 
и, следовательно,
также начинают зависеть от поля Е (см. Горячие электроны).Лит.: Блатт Ф. - Дж., Теория подвижностиэлектронов в твердых телах, пер. с англ., М. - Л., 1963; Гантмахер В. Ф.,Левинсон И. Б., Рассеяние носителей тока в металлах и полупроводниках, <М., 1984.
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988.
.
