ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТ

ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ ЭФФЕКТ

       

скачкообразный и обратимый переход полупроводника из высокоомного состояния в низкоомное под действием электрич. поля Е, превышающего пороговое Eп=104—106 В/см. П. э. наблюдаются в однородных ПП с S-образной вольтамперной характеристикой. При подаче на ПП прямоуг. импульса напряжения Uп, создающего электрич. поле, переход в низкоомное состояние начинается через время t=10-6—10-8 с (время задержки), к-рое тем меньше, чем больше перенапряжение (U-Uп). Время самого скачка =10-10 с. П. э. наз. моностабильным, если для поддержания низкоомного состояния необходимо непрерывно пропускать через ПП достаточно большой ток, и бистабильным (с памятью), если низкоомное состояние после отключения постоянного напряжения легко восстанавливается при пропускании через ПП короткого и мощного импульса тока. П. э. ярко выражен у аморфных полупроводников, в частности у стеклообразных (к к-рым относятся приведённые хар-ки), хотя наблюдается и у нек-рых кристаллич. полупроводников. В массивных слоях стёкол толщиной > 10 мкм П. э. обусловлен джоулевым разогревом. В тонких плёнках природа П. э. обычно объясняется электротепловой неустойчивостью. В низкоомном состоянии ток течёт в узком канале (шнуре). «Запоминание» при бистабильном П. э. обусловлено кристаллизацией стекла в токовом шнуре, а в нек-рых случаях — проникновением атомов металла (с электродов) в ПП. Наибольшее применение находит бистабильный П. э. для создания элементов памяти. Моностабильный П. э. используется гл. обр. в логич. схемах. Перспективность использования П. э. в стёклах связана с их радиац. стойкостью.

Физический энциклопедический словарь. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1983.