РОСТ КРИСТАЛЛА

— процесс разрастания к-ла. Происходит в насыщенном растворе, расплаве, газообразной или твердой среде в основном за счет новых слоев вещества, откладывающихся на гранях кристаллического многогранника. Это явление усложняется наличием спиралей роста, связанных с дефектами к-ла. В вязких и загрязненных средах возникают усложненные формы роста — скелетные к-лы и антискелетные (см. Антискелеты кристаллические). Согласно теории совершенного роста идеального к-ла (Коссель, 1927; Странский, 1928) новые частицы присоединяются к растущему к-лу так, чтобы при этом выделялась наибольшая энергия. С наибольшей долей вероятности такие частицы будут привлекаться во входящие углы. Соответственно на к-ле не должно образовываться нового слоя до тех пор, пока растущий слой целиком не покроет грани к-ла. В результате возникает идеально образованный к-л в виде выпуклого многогранника с плоскими гранями. См. Теория дислокаций в кристаллах.