ИНДИЯ АНТИМОНИД


ИНДИЯ АНТИМОНИД
InSb, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,647877 нм, z= 4, пространств. группа F43m): т. пл. 525,2 °С; плотн. 5,775 г/см 3, жидкого - 6,430 г/см 3 (550 °С); С 0p49,56 Дж/(моль. К); DH0 пл 65,35 кДж/моль, DH0 обр - 30,66 кДж/моль; S0298 87,44 Дж/(моль. К); температурный коэф. линейного расширения 4,7.10-6 К -1; теплопроводность 30-40 Вт/(м. К) при 200 К. Полупроводник: e 17,7 (- 196°C); ширина запрещенной зоны 0,2355 эВ (0 К), 0,180 эВ (298 К); эффективная масса электронов проводимости т е =>0,013m0, дырок т р =>0,42m0 (m0 - масса своб. электрона); при 77 К подвижность электронов 1,1.106 см 2/(В. с), дырок 9,1.103 см 2/(В. с). И. а. устойчив на воздухе и в парах воды при т-рах до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. HNO3 и смесями HNO3 и фтористоводородной к-ты, HNO3 и соляной к-ты, HNO3, винной и молочной к-т, Н 2 О 2 и винной к-ты, Н 2 О 2 и фтористоводородной к-ты. Для травления пов-сти кристаллов с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений наиб. часто используют смесь состава 5HNO3 : 3СН 3 СООН : 3HF. Получают И. а. сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере Н 2. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) или Н 2 либо в вакууме (~ 50 кПа). Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и Sb в вакууме 10-9 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500°С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10-4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb). И. а. - полупроводниковый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла, усилителей электрич. мощности. Лит.: Полупроводниковые соединения AIIIBV, под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ., М., 1967, с. 327-42, 476-83; Горелик С. С., Дашевский М. Я., Материаловедение полупроводников и металловедение, М., 1973; Нашельский А. Я., Технология полупроводниковых материалов, М., 1987 М. Г. Мильвидский.


Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. . 1988.

Смотреть что такое "ИНДИЯ АНТИМОНИД" в других словарях:

  • ИНДИЯ АНТИМОНИД — ИНДИЯ АНТИМОНИД, InSb, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Кристаллизуется в решетке типа сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ ТИПЫ КРИСТАЛЛОВ)). Антимонид индия не… …   Энциклопедический словарь

  • Антимонид индия — Антимонид индия(III) …   Википедия

  • Антимонид цинка — Общие Химическа …   Википедия

  • ИНДИЯ АРСЕНИД — InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С); С 0p49,32 Дж/(моль. К); DH0 пл 77,2… …   Химическая энциклопедия

  • ИНДИЯ ФОСФИД — InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а= 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 1070°С; плотн. 4,787 г/см 3; С°p46,2 Дж/(моль. К); DH0 пл 54,6 кДж/моль, DH0 обр Ч 90,3 кДж/моль; 0,07m0 …   Химическая энциклопедия

  • Антимонид галлия — Общие Химическая формула GaSb Физические свойства Состояние (ст. усл.) твердый Молярная масса 191.483 г/моль …   Википедия

  • индия(III) антимонид — indžio(III) antimonidas statusas T sritis chemija formulė InSb atitikmenys: angl. indium stibide; indium(III) antimonide rus. индия(III) антимонид ryšiai: sinonimas – indžio stibidas …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • Арсенид индия — Общие Химическая формула InAs Физические свойства Молярная масса 189.74 г/моль Плотность 5.68 г/см³ …   Википедия

  • Фосфид индия — Общие Химическая формула InP Физические свойства Молярная масса 145.79 г/моль Плотность 4.81 г/см³ …   Википедия

  • Нитрид индия(III) — Общие Систематическое наименование Нитрид индия(III) Химическая формула InN Физические свойства Состояние (ст. усл.) черные кристаллы …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.