ИНДИЯ АРСЕНИД


ИНДИЯ АРСЕНИД
InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита ( а =0,605886 нм, z =4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см 3, жидкого 5,850 г/см 3 (970 °С); С 0p49,32 Дж/(моль. К); DH0 пл 77,2 кДж/моль, DH0 обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль. К); температурный коэф. линейного расширения 5,19.10-6 К -1; теплопроводность 122 Вт/(м. К). Полупроводник: e 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости т е =>0,22m0, дырок m р = 0,33m0 (m0 - масса своб. электрона); подвижность электронов 3,4.104 см 2/(В. с) при 300 К и 8,2.104 см 2/(В. с) при 77 К, подвижность дырок 460 см 2/(В. с) при 300 К и 690 см 2/(В. с) при 77 К. И. а. устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. соляной и серной к-тами, водными р-рами сильных окислителей (напр., Н 2 О 2), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной к-т, а также азотной и соляной к-т с Н 2 О 2. Эти смеси используют для травления пов-сти кристаллов И. а. с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают И. а. в кварцевых ампулах взаимод. расплава In с парами As, давление к-рых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В 2 О 3 в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N2) при давлении 40-50 кПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из р-ра InAs в расплаве In при 650-700 °С; осаждением из газовой фазы: пары AsCl3 или НС1 пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону р-ции и взаимод. с парами AsCl3 или AsH3 при 700 °С, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со св-вами полупроводников n- или р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. И. а. - полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. см. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.


Химическая энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. . 1988.

Смотреть что такое "ИНДИЯ АРСЕНИД" в других словарях:

  • ИНДИЯ АРСЕНИД — ИНДИЯ АРСЕНИД, InAs, монокристаллический полупроводниковый материал (см. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ), относящийся к классу соединений AIIIBV. Кристаллы арсенида индия имеют решетку сфалерита (см. типы кристаллических структур (см. СТРУКТУРНЫЕ… …   Энциклопедический словарь

  • Арсенид галлия-индия — Арсенид галлия индия …   Википедия

  • Арсенид алюминия-галлия — Арсенид алюминия галлия …   Википедия

  • Арсенид индия — Общие Химическая формула InAs Физические свойства Молярная масса 189.74 г/моль Плотность 5.68 г/см³ …   Википедия

  • ИНДИЯ ФОСФИД — ИНДИЯ ФОСФИД, InP, монокристаллический полупроводниковый материал, относящийся к классу соединений AIIIBV. Монокристаллы фосфида индия имеют наибольшие перспективы широкого промышленного производства и применения после арсенида галлия (см. ГАЛЛИЯ …   Энциклопедический словарь

  • индия(III) арсенид — indžio(III) arsenidas statusas T sritis chemija formulė InAs atitikmenys: angl. indium(III) arsenide rus. индия(III) арсенид …   Chemijos terminų aiškinamasis žodynas

  • Фосфид индия — Общие Химическая формула InP Физические свойства Молярная масса 145.79 г/моль Плотность 4.81 г/см³ …   Википедия

  • Антимонид индия — Антимонид индия(III) …   Википедия

  • Хлорид индия(III) — Общие Систематическое наименование Хлорид индия Традиционные названия Хлористый индий Химическая формула InCl3 Физические свойства Состояние ( …   Википедия

  • Нитрид индия(III) — Общие Систематическое наименование Нитрид индия(III) Химическая формула InN Физические свойства Состояние (ст. усл.) черные кристаллы …   Википедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»

We are using cookies for the best presentation of our site. Continuing to use this site, you agree with this.