- Словарь терминов физики полупроводников
-
Содержание
А
Адатом — атом на поверхности кристалла.
Адиабатическое приближение — приближение в теории твёрдого тела, при котором движение остовов ионов кристаллической решётки рассматривается в качестве возмущения. См. фононы.
Адиабатический транспорт
Акцептор — примесь в полупроводниковом материале, которая захватывает свободный электрон.
Б
Барьер Шоттки — потенциальный барьер, возникающий на границе металл — полупроводник
Безызлучательная рекомбинация — рекомбинация без испускания квантов света. Передача энергии электронно-дырочной пары происходит либо колебаниям решетки (фононам), либо третьей частице (Оже-рекомбинация).
Бесщелевой полупроводник — полупроводник с нулевой шириной запрещённой зоны.
Бинарные соединения — химические вещества, образованные двумя химическими элементами.
В
Валентная зона — зона валентных электронов, при нулевой температуре в собственном полупроводнике полностью заполнена.
Вольт-амперная характеристика — зависимость тока от напряжения. Основная характеристика для любого полупроводникового прибора.
Г
Галлий — элемент пятой группы периодической системы элементов.
Гальваномагнитные эффекты — эффекты связанные с действием магнитного поля на электрические (гальванические) свойства твердотельных проводников.
Д
Двумерный электронный газ — электронный газ, который находится в потенциальной яме, ограничивающей движение по одной из координат.
Дефекты кристалла — любое нарушение периодичности кристалла.
Дивакансия — конгломерат дефектов кристалла, состоящий из двух вакансий.
Диод — полупроводниковый прибор с двумя электродами.
- Диод Шоттки
- Диод на p-n переходе
- Диоды Ганна
Дислокация — линейный дефект в кристалле.
Дислокация несоответствия — один из типов линейных дефектов в кристалле, когда дополнительная полуплоскость вставлена в кристаллическую решётку.
Донор — тип легирующих примесей, поставляющих свободные электроны.
Дырка — квазичастица в твёрдом теле с положительным зарядом, равным по абсолютному значению заряду электрона.
Дырочная проводимость — в полупроводнике с p-типом проводимости основные носители заряда дают основной вклад в проводимость.
Дырочный полупроводник — полупроводник с p-типом проводимости, основные носители тока — дырки.
Двухдолинный полупроводник — полупроводник, зона проводимости которого имеет два энергетических минимума.
З
Закон дисперсии — Зависимость энергии от квазиволнового вектора . В полупроводнике с параболическим законом дисперсии эффективная масса не зависит от энергии.
Затвор — управляющий электрод в полевом транзисторе.
Зона — термин зонной теории, обозначающий область разрешённых значений энергии, которые могут принимать электроны или дырки.
Зонная теория твёрдых тел — одноэлектронная теория для периодического потенциала, объясняющая многие электрофизические свойства полупроводников. Использует адиабатическое приближение.
И
Излучательная рекомбинация — рекомбинация с испусканием одного или нескольких фотонов при гибели электрон-дырочной пары; источник излучения в светодиодах и лазерных диодах.
Инжекция — явление, приводящее к появлению неравновесных носителей в полупроводнике при пропускании электрического тока через p-n-переход или гетеропереход.
Исток — термин, обозначающий один из контактов в полевом транзисторе.
К
Квантовый точечный контакт
Кристалл — идеализированная модель твёрдого тела с трансляционной симметрией.
Кремний — полупроводник, основной материал современной полупроводниковой промышленности.
Л
Лавинная инжекция — см. ЛИЗМОП-структуры
Лёгкие дырки
Люминесценция — свечение твёрдых под влиянием внешнего воздействия (пропускание электрического тока, возбуждение светом или заряженными частицами).
М
Механическое движение — изменение с течением времени положения тела относительно других тел.
Н
Неосновные носители магнитное поле
О
Оптические переходы — переходы электрона в твёрдом теле между состояниями с различной энергиями с испусканием или поглощением света.
Оптические фононы
Основные носители — тип преобладающих в полупроводнике носителей заряда.
П
Параболический закон дисперсии — у полупроводников с параболическим законом дисперсии можно ввести массу, которая отличается от массы покоя электрона. В этом случае частица, движущаяся в кристаллическом потенциале, не замечает его и ведёт себя как свободная частица.
Примеси — инородные атомы в чистом материале.
Примесная зона — зона, которая образуется при сильном легировании полупроводника, когда волновые функции электронов соседних примесей перекрываются.
Пьезокристаллы
Р
Рассеяние на акустических фононах
Рассеяние на оптических фононах
Рекомбинация — гибель пары электрон-дырка.
С
Сток — один из контактов в полевом транзисторе.
Т
Термализация — процесс установления термодинамического равновесия для неосновных носителей заряда.
Термогальваномагнитные эффекты — эффекты, возникающие под влиянием магнитного поля в электропроводности и теплопроводности проводников.
Теплоёмкость твёрдого тела
Точечные дефекты или нульмерные дефекты — дефекты кристалла, при которых периодичность потенциала нарушается только локально.
У
Уровень Ферми — энергетический уровень, который при абсолютном нуле температур разделяет полностью заполненные квантовые состояния от полностью незанятых состояний.
Ф
Фонон — Квазичастица, квант колебательного движения атомов кристалла.
Фотопроводимость — проводимость полупроводника при воздействии света. Даёт информацию о дефектах в полупроводниках.
Х
Ц
Ш
Ширина запрещённой зоны, Eg — одна из основных электрофизических характеристик полупроводника. Разность между энергией дна зоны проводимости и потолком валентной зоны.
Широкозонные полупроводники — полупроводники с шириной запрещённой зоны 1 эВ < Eg < 3 эВ
Э
Экситон — квазичастица в твёрдом теле, связанное состояние электрона и дырки. Обладает ограниченным временем жизни.
Электрон — квазичастица в твёрдом теле с зарядом электрона, но с отличной массой.
Электронное сродство — энергия выделяющаяся при присоединении одного электрона к твердому телу. Для металлов совпадает с термодинамической работой выхода, для полупроводников отличается от неё на величину EС-EF, поскольку присоединенный электрон попадает на дно зоны проводимости.
Электронный полупроводник — полупроводник с n-типом проводимости, где основные носители — электроны.
Эффект Ганна — периодические колебания тока в двухдолинных полупроводниках
Эффект Нернста — Эттингсгаузена
Эффект Холла — возникновение поперечной разности потенциалов при протекании тока во внешнем магнитное поле.
- Классический эффект Холла;
- Квантовый эффект Холла — эффект, наблюдающийся в двумерном электронном газе.
Эффект Шубникова — де Гааза — осцилляции магнетосопротивления периодичные по обратному магнитному полю.
Эффективная масса — перенормированная масса электрона в кристаллической решётке. Примен́им к полупроводникам с параболическим законом дисперсии. Для различных разрешённых зон эффективная масса квазичастиц различается, поэтому появляются тяжёлые и лёгкие дырки. В общем случае нужно масса зависит от направления в кристалле и говорят о тензоре эффективной массы.
В этой статье отсутствует вступление. Пожалуйста, допишите вводную секцию, кратко раскрывающую тему статьи.В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена.
Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники.
Эта отметка установлена 14 мая 2011.Категории:- Глоссарии
- Физика твёрдого тела
- Физика полупроводников
Wikimedia Foundation. 2010.