- Слой обогащения
-
Для улучшения этой статьи желательно?: - Найти и оформить в виде сносок ссылки на авторитетные источники, подтверждающие написанное.
Термин слой обогащения в физике полупроводников характеризует повышенную, по сравнению с равновесной, концентрацию основных носителей на границе двух материалов. Примером могут служить гетерограницы двух полупроводников с разными ширинами запрещённых зон, или граница металл-полупроводник. На границе металл-диэлектрик можно также получить слой обогащения при приложении электрического поля, что является основным физическим принципом работы полевого транзистора.
См. также
- Слой обеднения
- Слой инверсии
Категория:- Физика полупроводников
Wikimedia Foundation. 2010.