- Сканирующий гелиевый ионный микроскоп
-
Сканирующий ионный гелиевый микроскоп (СИГМ) — сканирующий (растровый) микроскоп, по принципу работы аналогичный сканирующему электронному микроскопу, но использующий вместо электронов пучок ионов гелия.
Содержание
Источник ионов
В отличие от большинства приборов со сфокусированным ионным пучком, использующих жидкометаллические источники ионов, в гелиевом ионном микроскопе используется газовый автоионный источник.
В качестве источника используется острие из вольфрама, к которому приложено высокое напряжение. В результате специального термополевого цикла на кончике острия формируется трехгранная пирамида, на вершине которой располагаются три атома вольфрама. Газообразный гелий ионизуется в сильном электрическом поле вблизи острия, принципы автоионизации описаны в работах Мюллера[1]. Режим автоионного микроскопа позволяет наблюдать источник с атомарным разрешением, что используется для формирования и юстировки источника, таким образом, что для создания ионного пучка используется одиночный атом вольфрама. Для стабилизации источника и повышения эффективности автоионизации острие охлаждается жидким азотом.
Оптика
Для фокусировки и отклонения ионного пучка используется электростатическая оптическая схема, аналогично системам со сфокусированным ионным пучком.
Взаимодействие ионов с веществом
В результате взаимодействия ускоренных ионов с веществом кинетическая энергия налетающих ионов передается электронам и атомам материала. При этом некоторые из электронов вещества вылетают в вакуум (вторичные электроны). Часть ионов гелия отражается от атомов вещества назад. Кроме того, некоторые из атомов вещества могут быть выбиты налетающими ионами, что приводит к распылению материала.
Импульс налетающих ионов слишком мал для эффективного возбуждения глубоких уровней атомов, поэтому возбуждения рентгеновского излучения в гелиевом ионном микроскопе не наблюдается.
Детекторы
СИГМ оборудован двумя детекторами:
- детектором Эверхарта-Торнли для регистрации вторичных электронов
- микроканальной пластиной для регистрации отраженных ионов.
Компенсация заряда
Для компенсации положительного электрического заряда, накапливающегося на поверхности диэлектрических материалов, используется расфокусированный электронный пучок.
Приложения
Основными приложениями для СИГМ являются:
- Микроскопия поверхности материала
- Распыление ионным пучком
- Ионная литография с использованием резиста
Справка
Сканирующий ионный гелиевый микроскоп был разработан компанией A.L.I.S., в настоящий момент являющейся частью компании Цейсс. Первый коммерчески доступный СИГМ появился в 2007 г. Фабрика по производству СИГМ расположена в г. Пибоди (США).
К настоящему моменту в мире установлено более 20 приборов, в основном в научно-исследовательских центрах (Национальный Институт Стандартов и Технологий США, Гарвардский Университет, Университет Твенте, Национальный университет Сингапура, Университет Билефельда). В России единственный СИГМ установлен в Междисциплинарном ресурсном центре по направлению «Нанотехнологии» Санкт-Петербургского государственного университета.
См. также
Примечания
- ↑ E. W. Muller, T. T. Tsong, Field Ion Microcopy Principles and Applications, Elsevier New York (1969)
Литература
- Tondare V. N. // J. Vac. Sci. Technol.- 2005 — A23 — 1498
- Morgan J., Notte J., Hill R., Ward B. An Introduction to the Helium Ion Microscope // Microscopy Today — 2006. — Vol 14. — No. 4. — p.24-31.
- Ward, B. W., Notte, J. A., Economou, N. P. Helium ion microscope: A new tool for nanoscale microscopy and metrology // J. Vac. Sci. Technol. — 2006. — B24(6). — p. 2871—2875.
- Ramachandra R., Griffin B., Joy D.C., // Ultramicroscopy — 2009. — 109. — p.748
- BellD. C. Contrast Mechanisms and Image Formation in Helium Ion Microscopy. // Microscopy and Microanalysis — 2009. — 15. — pp 147—153
Ссылки
- http://www.zeiss.com/C1256E4600305472/Contents-Frame/5257EB7F1284C14AC12575010036C5C5
- http://www.youtube.com/watch?v=toK03uL-SpQ
- http://www.utwente.nl/tnw/pin/onderzoek/him-basics.doc/
- http://www.microscopy.info/Microscopy/ResourcesByCat/23
- http://ekvv.uni-bielefeld.de/blog/uninews/entry/bielefeld_first_german_university_with
- http://www.southampton-nanofab.com/characterisation/heIonMicroscope.php
- http://nano.spbu.ru
- http://нанопортал.рф/equipment/zeiss_orion/
Категории:- Микроскопы
- Нанотехнология
Wikimedia Foundation. 2010.