- ОБЕДНЁННЫЙ СЛОЙ
- ОБЕДНЁННЫЙ СЛОЙ
-
- то же, <что запорный слой.
Физическая энциклопедия. В 5-ти томах. — М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988.
.
ОБЕДНЁННЫЙ СЛОЙ
Смотреть что такое "ОБЕДНЁННЫЙ СЛОЙ" в других словарях:
обеднённый слой — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999] Тематики электротехника, основные понятия EN barrier layerblocking layerdepletion layerswept out layer … Справочник технического переводчика
обеднённый слой — nuskurdintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. depletion layer vok. Verarmungsrandschicht, f; Verarmungsschicht, f; Verarmungszone, f rus. истощённый слой, m; обеднённый слой, m pranc. couche de déplétion, f; couche… … Fizikos terminų žodynas
истощённый слой — nuskurdintasis sluoksnis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. depletion layer vok. Verarmungsrandschicht, f; Verarmungsschicht, f; Verarmungszone, f rus. истощённый слой, m; обеднённый слой, m pranc. couche de déplétion, f; couche… … Fizikos terminų žodynas
ЗАПОРНЫЙ СЛОЙ — (обеднённый слой) слой полупроводника с пониженной концентрацией осн. носителей заряда. Образуется около контакта с металлом, гетероперехода, моноперехода ( р п перехода),свободной поверхности. Из за ухода осн. носителей в 3. с. возникает заряд,… … Физическая энциклопедия
КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ — неравновесные электронные явления, возникающие при прохождении электрич. тока через контакт полупроводника с металлом или электролитом или через контакт двух различных полупроводников (гетеропереход )либо через границу двух областей одного и того … Физическая энциклопедия
ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… … Физическая энциклопедия
МДП-СТРУКТУРА — (металл диэлектрик полупроводник) структура, образованная пластиной полупроводника П, слоем диэлектрика Д на одной из её поверхностей и металлич. электродом (затвором M, рис. 1). При подаче на МДП с. напряжения V в полупроводнике вблизи границы с … Физическая энциклопедия
p - n-ПЕРЕХОД — (электронно дырочный переход) слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n область) и дырочной ( р область) проводимостью. Различают гомопереход, получающийся в результате… … Физическая энциклопедия
ПЬЕЗОПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ — электроакустич. преобразователи, действие к рых основано на свойствах обеднённого носителями заряда тонкого слоя пьезополупроводника. Обычно П. п. являются вибраторами, работающими на резонансной частоте (в диапазоне частот от 10 МГц до 75 ГГц).… … Физическая энциклопедия
P — n-переход — (n negative отрицательный, электронный, p positive положительный, дырочный), или электронно дырочный переход разновидность гомопереходов, Зоной p n перехода называется область полупроводника, в которой имеет место… … Википедия
