Фотоэлектрическая спектроскопия это:

Фотоэлектрическая спектроскопия
        определение химического состава примесей в полупроводниках и изучение их энергетической структуры по спектрам примесной фотопроводимости (См. Фотопроводимость). Примесный атом в полупроводнике может находиться в основном (невозбуждённом) или одном из возбуждённых энергетических состояний. Спектр этих состояний специфичен для каждого химического элемента примеси в данном полупроводнике. Если облучать полупроводник монохроматическим излучением, плавно изменяя частоту ω, т. е. энергию фотонов ηω(где ηПланка постоянная), то всякий раз, когда ηωбудет совпадать с энергетическим зазором между основным и одним из возбуждённых состояний, атом примеси соответствующего сорта будет переходить в это возбуждённое состояние, поглощая фотон. Можно подобрать температуру кристалла так, что энергия его тепловых колебаний окажется достаточной для ионизации возбуждённого атома (но недостаточной для ионизации невозбуждённого атома). Тогда будет происходить двухступенчатая фототермическая ионизация примесных атомов: сначала оптическое возбуждение, а затем термическая ионизация. Её результатом является выброс электрона или дырки из атома примеси в зону проводимости и соответственно – фотопроводимость.
         Спектр примесной фотопроводимости состоит из набора пиков, каждый из которых соответствует энергии фотонов, вызывающих переход в одно из возбуждённых состояний атомов примеси определенного сорта (см. рис.). Высоты пиков в широких пределах изменения концентраций примесей не зависят от этих концентраций. Благодаря этому Ф. с. позволяет обнаруживать ничтожно малые количества примесей. Например, в образце Ge, спектр которого приведён на рисунке, суммарная концентрация примесных атомов составляет 10-11% от общего числа атомов. Теоретический предел чувствительности Ф. с. ещё на несколько порядков ниже.
         Лит.: Лифшиц Т. М., Лихтман Н. П., Сидоров В. И., Фотоэлектрическая спектроскопия примесей в полупроводниках, «Письма в редакцию ЖЭТФ», 1968, т. 7, в. 3, с. 111–14; Коган Ш. М., Седунов Б. И., Фототермическая ионизация примесного центра в кристалле, «Физика твердого тела», 1966, т. 8, в. 8, с. 2382–89; Быкова Е. М., Лифшиц Т. М., Сидоров В. И., Фотоэлектрическая спектроскопия, полный качественный анализ остаточных примесей в полупроводнике, «Физика и техника полупроводников», 1973, т. 7, № 5, с. 986–88; Kogan Sh. М., Lifshits, T. М., Photoelectric Spectroscopy – a new Method of Analysis of Impurities in Semiconductors, «Physica status solidi (a)», 1977, 39, № 1, p. 11.
         Т. М. Лифшиц.
        Фотоэлектрический спектр Ge с примесями B, Al, Ga.
        Фотоэлектрический спектр Ge с примесями B, Al, Ga.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Смотреть что такое "Фотоэлектрическая спектроскопия" в других словарях:

  • ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ — определение хим. состава и исследование энергетич. структуры примесей в полупроводниках по спектрам их примесной фотопроводимости. В Ф. с. используется двухступенчатая ионизация примесных атомов: сначала атом примеси поглощает фотон и переходит в …   Физическая энциклопедия

  • ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ — см. Фототермоионизационная спектроскопия. Физическая энциклопедия. В 5 ти томах. М.: Советская энциклопедия. Главный редактор А. М. Прохоров. 1988 …   Физическая энциклопедия

  • ФОТОТЕРМОИОНИЗАЦИОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ — (ФТИС; в англоязычной лит ре PTIS) (устар. назв. фотоэлектрическая спектроскопия) метод спектроскопии полупроводников (ПП), в к ром хим. природа, энергетич. спектр и др. характеристики примесей, примесных комплексов и др. дефектов ПП определяются …   Физическая энциклопедия

  • Photoelectric spectroscopy — Фотоэлектрическая спектроскопия …   Краткий толковый словарь по полиграфии

  • Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон …   Википедия

  • МЛЭ — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

  • Молекулярно-лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

  • Молекулярно — лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

  • Молекулярно — пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… …   Википедия

  • Спектральные приборы —         приборы для исследования спектрального состава по длинам волн электромагнитных излучений в оптическом диапазоне (10 3 103 мкм; см. Спектры оптические), нахождения спектральных характеристик излучателей и объектов, взаимодействовавших с… …   Большая советская энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»