Полупроводниковый гетеропереход это:

Полупроводниковый гетеропереход
        контакт двух различных по химическому составу полупроводников (См. Полупроводники). На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны ΔE, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников. В «резком» П. г. изменение свойств происходит на расстоянии, сравнимом или меньшем, чем ширина области объёмного заряда (см. Электронно-дырочный переход). В зависимости от легирования обеих сторон П. г. можно создать р—n-гетеропереходы (анизотипные), р—р- и n—n-гетеропереходы (изотипные). Комбинации различных П. г. и р—n-переходов образуют гетероструктуры.
         Идеальная стыковка кристаллических решёток в П. г. возможна лишь при совпадении типа, ориентации и периода кристаллических решёток сращиваемых материалов. Кроме того, в идеальном П. г. граница раздела должна быть свободна от структурных и др. дефектов (дислокаций (См. Дислокации), заряженных центров и т.п.) и механических напряжений. Наиболее широко применяются монокристаллические П. г. между полупроводниковыми соединениями типа AIIIBV и их твёрдыми растворами (См. Твёрдые растворы) на основе арсенидов, фосфидов и антимонидов Ga и Al. Благодаря близости ковалентных радиусов Ga и Al изменение химического состава происходит без изменения периода решётки. Изготовление монокристаллических П. г. и гетероструктур стало возможным благодаря развитию методов эпитаксиального наращивания полупроводниковых кристаллов.
         П. г. используются в различных полупроводниковых приборах: полупроводниковых лазерах (См. Полупроводниковый лазер), светоизлучающих диодах (См. Светоизлучающий диод), Фотоэлементах, Оптронах и т.д.
         Лит.: Алферов Ж. И., Гетеропереходы в полупроводниковой электронике близкого будущего, в кн.: Физика сегодня и завтра, под ред. В. М. Тучкевича, Л., 1973; Елисеев П. Г., Инжекционные лазеры на гетеропереходах, «Квантовая электроника», 1972, № 6; Алферов Ж. И., Инжекционные гетеролазеры, в сборнике: Полупроводниковые приборы и их применение, под ред. Я. Федотова, в. 25, М., 1971.
         Ж. И. Алферов.

Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.

Смотреть что такое "Полупроводниковый гетеропереход" в других словарях:

  • Полупроводниковый лазер —         полупроводниковый квантовый генератор, Лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные Квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии… …   Большая советская энциклопедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). В полупроводниковой активной …   Физическая энциклопедия

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер, активная среда которого полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (50 мкм 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковый лазер генерирует излучение в диапазоне длин волн 0 …   Большой Энциклопедический словарь

  • полупроводниковый лазер — лазер, активная среда которого  полупроводниковый кристалл. Полупроводниковый лазер имеет малые размеры (длина резонатора 50 мкм  1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. Полупроводниковые лазеры генерируют излучение в… …   Энциклопедический словарь

  • ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер, активная среда к рого полупроводн. кристалл. П. л. имеет малые размеры (длина резонатора 50 мкм 1 мм), высокий кпд (до 50%), возможность спектральной перестройки. П. л. генерируют излучение в диапазоне длин волн 0,3 30 мкм. Наиб.… …   Естествознание. Энциклопедический словарь

  • Светоизлучающий диод —         светодиод, полупроводниковый прибор (См. Полупроводниковые приборы), преобразующий электрическую энергию в энергию оптического излучения на основе явления инжекционной электролюминесценции (См. Электролюминесценция) (в полупроводниковом… …   Большая советская энциклопедия

  • Электронно-дырочный переход — (p n переход)         область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Поскольку в р области Э. д. п. концентрация дырок гораздо выше, чем в n области, дырки из n области… …   Большая советская энциклопедия

  • Радиофизика —         область физики, в которой изучаются физические процессы, связанные с электромагнитными колебаниями и волнами радиодиапазона (см. Радиоволны): их возбуждение, распространение, приём и преобразование частоты, а также возникающие при этом… …   Большая советская энциклопедия

  • Солнечная батарея —         батарея солнечных элементов, полупроводниковый Фотоэлектрический генератор, непосредственно преобразующий энергию солнечной радиации в электрическую. Действие солнечных элементов (СЭ) основано на использовании явления внутреннего… …   Большая советская энциклопедия

  • Фотоэлемент —         электронный прибор, в котором в результате поглощения энергии падающего на него оптического излучения генерируется эдс (Фотоэдс) или электрический ток (фототок). Действие Ф. основывается на фотоэлектронной эмиссии (См. Фотоэлектронная… …   Большая советская энциклопедия


Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»