wafer flatness
1wafer flatness — plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …
2Wafer (electronics) — Polished 12 and 6 silicon wafers. The flat cut into the right wafer indicates its doping and crystallographic orientation (see below) …
3Wafer — Als Wafer [ˈweɪfə(r)] (engl. „Waffel“ oder „Oblate“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, ca. 1 mm dicke Scheiben bezeichnet. Sie werden aus ein oder polykristallinen (Halbleiter… …
4Waferebenheit — plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …
5planéité de la tranche — plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …
6plokštelės plokštumas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …
7плоскостность пластины — plokštelės plokštumas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. wafer flatness vok. Waferebenheit, f rus. плоскостность пластины, f pranc. planéité de la tranche, f …
8EUV-Lithografie — (auch kurz EUVL) ist ein Fotolithografie Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung (englisch extreme ultra violet, EUV). Dies soll es… …
9Extreme ultraviolet lithography — (also known as EUV or EUVL ) is a next generation lithography technology using the 13.5 nm EUV wavelength. EUVL opticsEUVL is a significant departure from the deep ultraviolet lithography used today. All matter absorbs EUV radiation. Hence, EUV… …
10Immersion lithography — is a photolithography resolution enhancement technique that replaces the usual air gap between the final lens and the wafer surface with a liquid medium that has a refractive index greater than one. The resolution is increased by a factor equal… …
- 1
- 2
