threshold gate voltage
81Metal Oxide Semiconductor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …
82Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …
83Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… …
84Central processing unit — CPU redirects here. For other uses, see CPU (disambiguation). An Intel 80486DX2 CPU from above An Intel 80486DX2 from below …
85List of electronics topics — Alphabetization has been neglected in some parts of this article (the b section in particular). You can help by editing it. This is a list of communications, computers, electronic circuits, fiberoptics, microelectronics, medical electronics,… …
86ISFET — An ISFET is an ion sensitive field effect transistor used to measure ion concentrations in solution; when the ion concentration (such as pH) changes, the current through the transistor will change accordingly. Here, the solution is used as the… …
87Biological neural network — From Texture of the Nervous System of Man and the Vertebrates by Santiago Ramón y Cajal. The figure illustrates the diversity of neuronal morphologies in the auditory cortex. In neuroscience, a biological neural network describes a population of… …
88Nanoelectronics — Part of a series of articles on Nanoelectronics Single molecule electronics …
89Subthreshold Leakage — Bei subthreshold leakage (englisch, dt. ‚Unterschwellspannungsleckstrom‘) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …
90Subthreshold leakage — Bei subthreshold leakage (dt. »Unterschwellspannungsleckstrom«) handelt es sich um einen so genannten Leckstrom in MOS Transistoren, welche in aktuellen integrierten Schaltungen wie Prozessoren oder Mikrocontrollern verwendet werden.… …
