tension de claquage collecteur-base de
1ГОСТ 21934-83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения — Терминология ГОСТ 21934 83: Приемники излучения полупроводниковые фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Термины и определения оригинал документа: 12. p i n фотодиод D. Pin Photodiode E. Pin Photodiode F. Pin Photodiode Фотодиод, дырочная и …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
2пробивное напряжение — 2.2 пробивное напряжение: Максимальное значение напряжения, необходимого для пробоя искрового промежутка свечи при заданных условиях Источник: ГОСТ 28772 90: Системы зажигания автомобильных двигателей. Термины и определения …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
3ГОСТ 20003-74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20003 74: Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 1 При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, UЭБ0, UEB0. 2 При заданном токе коллектора и… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
4Пробивное напряжение коллектор-база — 12. Пробивное напряжение коллектор база D. Kollektor Basis Durchbruchspannung E. Breakdown collector base voltage F. Tension de claquage collecteur base UКБОпроб Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
5пробивное напряжение коллектор-база — Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю. Обозначение UКБОпроб U(BR)CBO [ГОСТ 20003 74] Тематики полупроводниковые приборы EN breakdown collector base… …
6пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора — Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности. Обозначение Uкпр к UBR CBO Примечание На ФЭПП может действовать равновесное… …
7Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора — 106. Пробивное напряжение коллектор база фототранзистора D. Kollektor Basis Durch bruchspannung eines Phototransistors E. Collector base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur base de phototransistor Пробивное… …
Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
8TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… …
9Effet Kirk — L effet Kirk est un effet parasite du transistor bipolaire qui consiste en l élargissement de la zone de base au détriment de la zone collecteur suite à une forte densité de porteur majoritaire injectée de la base vers le collecteur. Cet effet a… …
10COMFET — Transistor bipolaire à grille isolée Symbole usuel de l’IGBT Le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais Insulated Gate Bipolar Transistor) est un dispositif semi conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme… …
- 1
- 2
