technique locos
1LOCOS-Prozess — LOCOS, kurz für englisch Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an… …
2LOCOS — LOCOS, kurz für Local Oxidation of Silicon (dt. »lokale Oxidation von Silicium«, ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Bauelementen (meist Transistoren). Dafür wird der Silicium Wafer an ausgewählten Stellen… …
3LOCOS — LOCOS, short for LOCal Oxidation of Silicon, is a microfabrication process where silicon dioxide is formed in selected areas on a silicon wafer having the Si SiO2 interface at a lower point than the rest of the silicon surface.This technology was …
4Liste Des Sociétés Et Industries D’Hellemmes — Sommaire 1 Les sociétés locales 1.1 Sports 1.2 Les scouts de France 1.2.1 Éclaireuses Éclaireurs de France Groupe Alfr …
5Liste des societes et industries d’Hellemmes — Liste des sociétés et industries d’Hellemmes Sommaire 1 Les sociétés locales 1.1 Sports 1.2 Les scouts de France 1.2.1 Éclaireuses Éclaireurs de France Groupe Alfr …
6Liste des sociétés et industries d'Hellemmes — Liste des sociétés et industries d’Hellemmes Sommaire 1 Les sociétés locales 1.1 Sports 1.2 Les scouts de France 1.2.1 Éclaireuses Éclaireurs de France Groupe Alfr …
7Liste des sociétés et industries d’Hellemmes — Sommaire 1 Les sociétés locales 1.1 Sports 1.2 Les scouts de France 1.2.1 Éclaireuses Éclaireurs de France Groupe Alfr …
8Liste des sociétés et industries d’hellemmes — Sommaire 1 Les sociétés locales 1.1 Sports 1.2 Les scouts de France 1.2.1 Éclaireuses Éclaireurs de France Groupe Alfr …
9Charge-coupled device — A specially developed CCD used for ultraviolet imaging in a wire bonded package. A charge coupled device (CCD) is a device for the movement of electrical charge, usually from within the device to an area where the charge can be manipulated, for… …
10Grabenisolation — Die Grabenisolation (englisch shallow trench isolation, STI, auch box isolation technique) ist ein Verfahren der Halbleitertechnik zur elektrischen Isolation einzelner Bauelemente (hauptsächlich MIS Feldeffekttransistoren) auf integrierten… …
