space-charge region

  • 41Anomalous photovoltaic effect — The anomalous photovoltaic effect (APE) is a type of a photovoltaic effect which occurs in semiconducting materials. The anomalous refers to those cases where the photovoltage is larger than the band gap of the corresponding semiconductor.This… …

    Wikipedia

  • 42Raumladungsbereich — erdvinio krūvio sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. space charge region; space charge zone vok. Raumladungsbereich, m; Raumladungsgebiet, n rus. зона пространственного заряда, f; область пространственного заряда, f pranc. région de …

    Fizikos terminų žodynas

  • 43Raumladungsgebiet — erdvinio krūvio sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. space charge region; space charge zone vok. Raumladungsbereich, m; Raumladungsgebiet, n rus. зона пространственного заряда, f; область пространственного заряда, f pranc. région de …

    Fizikos terminų žodynas

  • 44erdvinio krūvio sritis — statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. space charge region; space charge zone vok. Raumladungsbereich, m; Raumladungsgebiet, n rus. зона пространственного заряда, f; область пространственного заряда, f pranc. région de charge d’espace, f …

    Fizikos terminų žodynas

  • 45зона пространственного заряда — erdvinio krūvio sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. space charge region; space charge zone vok. Raumladungsbereich, m; Raumladungsgebiet, n rus. зона пространственного заряда, f; область пространственного заряда, f pranc. région de …

    Fizikos terminų žodynas

  • 46область пространственного заряда — erdvinio krūvio sritis statusas T sritis fizika atitikmenys: angl. space charge region; space charge zone vok. Raumladungsbereich, m; Raumladungsgebiet, n rus. зона пространственного заряда, f; область пространственного заряда, f pranc. région de …

    Fizikos terminų žodynas

  • 47Copper indium gallium selenide solar cells — Copper indium gallium selenide (CuIn1 xGaxSe2 or CIGS) is a direct bandgap semiconductor useful for the manufacture of solar cells. Because the material strongly absorbs sunlight, a much thinner film is required than of other semiconductor… …

    Wikipedia

  • 48Raumladungszone eines p-n-Übergangs — pn sandūros erdvinio krūvio sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. space charge region of a p n junction vok. Raumladungszone eines p n Übergangs, f rus. зона пространственного заряда p n перехода, f pranc. région de charge… …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 49pn sandūros erdvinio krūvio sritis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. space charge region of a p n junction vok. Raumladungszone eines p n Übergangs, f rus. зона пространственного заряда p n перехода, f pranc. région de charge spatiale d une jonction p n, f …

    Radioelektronikos terminų žodynas

  • 50зона пространственного заряда p-n-перехода — pn sandūros erdvinio krūvio sritis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. space charge region of a p n junction vok. Raumladungszone eines p n Übergangs, f rus. зона пространственного заряда p n перехода, f pranc. région de charge… …

    Radioelektronikos terminų žodynas