self-aligned regions
1Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… …
2self-aligned integrated circuit — integrinis grandynas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned integrated circuit vok. selbstjustierter integrierter Schaltkreis, m rus. интегральная схема с самосовмещёнными областями, f… …
3self-aligned semiconductor device — puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными… …
4self-aligned charge-coupled device — krūvio sąsajos įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned charge coupled device vok. selbstjustierter ladungsgekoppelter Baustein, m rus. прибор с зарядовой связью с самосовмещёнными …
5metal self-aligned MOS process — susitapatinančiosios metalizacijos MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal self aligned MOS process vok. selbstjustierende Metallisierungsprozeß MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… …
6circuit intégré à régions auto-alignées — integrinis grandynas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned integrated circuit vok. selbstjustierter integrierter Schaltkreis, m rus. интегральная схема с самосовмещёнными областями, f… …
7dispositif semi-conducteur à régions auto-alignées — puslaidininkinis įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned semiconductor device vok. selbstjustierter Halbleiterbaustein, m rus. полупроводниковый прибор с самосовмещёнными… …
8dispositif à couplage de charge à régions auto-alignées — krūvio sąsajos įtaisas su susitapatinančiomis sritimis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned charge coupled device vok. selbstjustierter ladungsgekoppelter Baustein, m rus. прибор с зарядовой связью с самосовмещёнными …
9technologie MOS à régions métalliques auto-alignées — susitapatinančiosios metalizacijos MOP darinių technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal self aligned MOS process vok. selbstjustierende Metallisierungsprozeß MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… …
10Our Ukraine–People's Self-Defense Bloc — Блок Наша Україна–Народна Самооборона Leader Viktor Yuschenko …
