rutherford ion backscattering
1Rutherford ion backscattering spectroscopy — Rezerfordo atgalinės jonų sklaidos spektroskopija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Rutherford ion backscattering spectroscopy vok. Rutherford Rückstreuungsspektroskopie, f rus. резерфордовская ионнорассеивательная… …
2Rutherford Ion Backscattering — Ru|ther|ford Back|scat|te|ring, Ru|ther|ford Ion Back|scat|te|ring [ rʌğəfəd [ aɪən] bækskætərɪŋ; engl. = Rutherford [Ionen] Rückstreuung (nach E. Rutherford)]; Abk.: RBS, RIBS: svw. ↑ HEIS …
3Rutherford-Rückstreuungsspektroskopie — Rezerfordo atgalinės jonų sklaidos spektroskopija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. Rutherford ion backscattering spectroscopy vok. Rutherford Rückstreuungsspektroskopie, f rus. резерфордовская ионнорассеивательная… …
4Rutherford backscattering spectroscopy — Rutherford backscattering spectrometry (RBS) is an analytical technique used in materials science. Sometimes referred to as high energy ion scattering (HEIS) spectrometry, RBS is used to determine the structure and composition of materials by… …
5Rutherford Backscattering Spectrometry — (RBS), deutsch Rutherford Rückstreu Spektrometrie, ist eine Methode zur Untersuchung von oberflächennahen dünnen Schichten mit Hilfe von Ionenstrahlen. Es ist daher eng verwandt mit anderen Methoden der Ionenstreuspektroskopie, wie der… …
6Rutherford Back Scattering — Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS), deutsch Rutherford Rückstreu Spektrometrie, ist eine Methode zur Untersuchung von oberflächennahen dünnen Schichten mit Hilfe von Ionenstrahlen. Für eine Messung schießt man hochenergetische Ionen… …
7Ion beam analysis — ( IBA ) is an important family of modern analytical techniques involving the use of MeV ion beams to probe the composition and obtain elemental depth profiles in the near surface layer of solids. All IBA methods are highly sensitive and allow the …
8Ion implantation — is a materials engineering process by which ions of a material can be implanted into another solid, thereby changing the physical properties of the solid. Ion implantation is used in semiconductor device fabrication and in metal finishing, as… …
9Ion track technology (introduction) — Intro   Tasks   Materials   …
10Rutherford Backscattering — Ru|ther|ford Back|scat|te|ring, Ru|ther|ford Ion Back|scat|te|ring [ rʌğəfəd [ aɪən] bækskætərɪŋ; engl. = Rutherford [Ionen] Rückstreuung (nach E. Rutherford)]; Abk.: RBS, RIBS: svw. ↑ HEIS …
