polysilicon-gate process
11Programmable read-only memory — D23128C PROM on the board of ZX Spectrum Computer memory types Volatile RAM DRAM (e.g., DD …
12Mostek — Not to be confused with MOS Technology. For other uses, see Mostek (disambiguation). Mostek was an integrated circuit manufacturer, founded in 1969 by ex employees of Texas Instruments. Initially their products were manufactured in Worcester,… …
13Silicon on sapphire — (SOS) is a hetero epitaxial process for integrated circuit manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 micrometres) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the Silicon on Insulator (SOI) family of… …
14MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel Poly Si Gate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с двухуровневыми поликремниевыми затворами, f pranc. technologie MOS pour circuit… …
15technologie MOS pour circuit intégré à grille polysilicium à deux niveaux — MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel Poly Si Gate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… …
16технология МОП-структур с двухуровневыми поликремниевыми затворами — MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel Poly Si Gate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… …
17MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими кремниевыми затворами, f pranc. technologie des structures MOS à… …
18Polysiliziumgate-MOS-Technologie — MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими… …
19technologie des structures MOS à grilles en polysilicium — MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими… …
20технология МОП-структур с поликристаллическими кремниевыми затворами — MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими… …
