polysilicon gate
1polysilicon-gate charge-coupled device — krūvio sąsajos įtaisas su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate charge coupled device vok. ladungsgekoppeltes Poly Si Gate Bauelement, n rus. прибор с зарядовой связью с… …
2polysilicon-gate MOS process — MOP darinių su polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polysilicon gate MOS process vok. Polysiliziumgate MOS Technologie, f rus. технология МОП структур с поликристаллическими… …
3single-crystal and polysilicon gate — monokristalinio ir polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single crystal and polysilicon gate; single poly gate vok. kombiniertes Gate aus ein und polykristallinem Silizium, n rus. затвор из… …
4double polysilicon gate MOS process — MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel Poly Si Gate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… …
5self-aligned polysilicon-gate MOS process — MOP darinių su susitapatinančiomis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. self aligned polysilicon gate MOS process vok. selbstjustierende MOS Polysiliziumtechnik, f rus. технология… …
6polysilicon-silicide gate — polikristalinio silicio ir silicido užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycide gate; polysilicon silicide gate vok. Silizid Polysilizium Gate, n rus. затвор из поликремния и силицида металла, m pranc. grille… …
7Self-aligned gate — A self aligned gate is a design arrangement where a highly doped gate in a MOSFET is used as a mask for the doping of the source and drain around it. This technique ensures that the gate will always overlap the edges of the source and drain. The… …
8kombiniertes Gate aus ein- und polykristallinem Silizium — monokristalinio ir polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single crystal and polysilicon gate; single poly gate vok. kombiniertes Gate aus ein und polykristallinem Silizium, n rus. затвор из… …
9single-poly gate — monokristalinio ir polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. single crystal and polysilicon gate; single poly gate vok. kombiniertes Gate aus ein und polykristallinem Silizium, n rus. затвор из… …
10Doppel-Poly-Si-Gate-MOS-Technik — MOP darinių su dvipakopėmis polikristalinio silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double polysilicon gate MOS process vok. Doppel Poly Si Gate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с… …
