n-p-n transistor
121transistor MOS à l'échelle submicronique — submikrometrinis MOP tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. submicron scale MOS transistor vok. Submikrometer MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с субмикронными размерами, m pranc. transistor MOS à l échelle… …
122Transistor mit Heteroübergang — tranzistorius su įvairialytėmis sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterojunction transistor vok. Transistor mit Heteroübergang, m rus. транзистор на гетеропереходе, m pranc. transistor à hétérojonction, m …
123transistor à hétérojonction — tranzistorius su įvairialytėmis sandūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. heterojunction transistor vok. Transistor mit Heteroübergang, m rus. транзистор на гетеропереходе, m pranc. transistor à hétérojonction, m …
124Transistor mit Hochverarmungsschicht — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …
125transistor à couche de déplétion profonde — tranzistorius su labai nuskurdintu sluoksniu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. deep depletion layer transistor vok. Transistor mit Hochverarmungsschicht, m rus. транзистор с глубокообеднённым слоем, m; транзистор со сильно… …
126Transistor mit Kammstruktur — šukinės sandaros tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interdigitated transistor vok. Transistor mit Kammstruktur, m rus. транзистор с гребенчатой структурой, m pranc. transistor à structure interdigitale, m …
127transistor à structure interdigitale — šukinės sandaros tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. interdigitated transistor vok. Transistor mit Kammstruktur, m rus. транзистор с гребенчатой структурой, m pranc. transistor à structure interdigitale, m …
128Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit — didelio elektronų judrio tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. high electron mobility transistor vok. Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit, m rus. транзистор с высокой подвижностью электронов, m pranc.… …
