mos-feldeffekttransistor
81Dynamic random access memory — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… …
82Dynamisches RAM — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… …
83Dynamisches Random Access Memory — Dieser Artikel beschreibt den DRAM Chip. Für das mit diesen Chips aufgebaute DRAM Modul (ugs.: Speicherriegel), siehe Artikel Speichermodul. Dynamic Random Access Memory (DRAM), oder der halb eingedeutschte Begriff Dynamisches RAM, bezeichnet… …
84N-p-Übergang — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
85P-n-Verbindung — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
86P-n-junction — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
87P-n-Übergang — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
88Pn-Verbindung — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
89Pn-junction — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
90Pn-Übergang — Ein p n Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit unterschiedlicher Dotierung. Bereiche, in denen die Dotierung von negativ (n) zu positiv (p) wechselt, kommen in vielen elektrischen Bauelementen… …
