mos structure (metal-oxide-semiconductor structure)
1metal-oxide-semiconductor/silicon-on-sapphire structure — silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor/silicon on sapphire structure; MOS on sapphire structure vok. MOS/Silizium auf Saphir Struktur, f rus. МОП структура типа кремний на… …
2metal-oxide-semiconductor FET — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …
3metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …
4complementary metal-oxide-semiconductor — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… …
5double-diffused metal-oxide-semiconductor structure — dvikartinės difuzijos MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. double diffused metal oxide semiconductor structure; double diffused MOS vok. Doppeldifusions MOS Struktur, f rus. двухдиффузионная структура метал окисел… …
6buried-channel metal-oxide-semiconductor — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
7SOS complementary metal-oxide-semiconductor — jungtinis silicio MOP darinys ant safyro statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. complementary MOS on sapphire structure; SOS complementary metal oxide semiconductor vok. CMOS auf Saphir Struktur, f; CMOS Struktur auf Saphirsubstrat …
8complementary MOS structure — jungtinis MOP darinys statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. CMOS structure; complementary metal oxide semiconductor; complementary MOS structure vok. CMOS Struktur, f; komplementäre MOS Struktur, f; komplementär symmetrische MOS… …
9buried-channel MOS structure — MOP darinys su paslėptuoju kanalu statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. buried channel metal oxide semiconductor; buried channel MOS structure vok. Metall Oxid Halbleiter Struktur mit vergrabenem Kanal, f; MOS Struktur mit… …
10MOS-Feldeffekttransistor — metalo oksido puslaidininkio lauko tranzistorius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. metal oxide semiconductor FET; metal oxide semiconductor field effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit Metall Oxid Halbleiter Aufbau,… …
